为了澄清其他人已经说过的话，MOSFET 有一个内部二极管，在 N 沟道器件中从源极指向漏极，在 P 沟道器件中从漏极指向源极。这不是制造商故意添加的东西，而是 MOSFET 制造方式的副产品。大多数情况下，这个二极管会阻止 MOSFET 在翻转时发挥作用。在某些实际故意使用此二极管的应用中，您可以将其视为“高级”应用。一个例子是制作一个同步整流器。这基本上是一个二极管，上面有一个晶体管。当知道二极管应该导通时，晶体管就会打开。这降低了二极管两端的电压降，有时用于开关电源以获得更高的效率。

您对 N 沟道 FET 的源极为负和漏极为正的观察是正确的。就像有 NPN 和 PNP 双极晶体管一样，有 N 沟道和 P 沟道 FET，它们在极性方面是彼此的镜像。AP 通道 FET 将与正源极和负漏极连接。在关断状态下，栅极保持在源极电压。要打开它，对于大多数普通 MOSFET，栅极相对于源极降低 12-15V。

一个mosfet实际上是一个四端器件。漏极、源极、栅极和主体。

对于 N 沟道 mosfet，掺杂排列产生允许电流从体流向漏极和从体流向源极的二极管。

如果您有一个所有四个端子分别引出的 MOSFET，则漏极和源极之间存在对称性。如果体保持在小于或等于漏极和源极电压的电位，则 MOSFET 可用于在两个方向上切换电流。

然而，大多数分立 MOSFET 的主体内部连接到源极，这有效地将二极管从源极连接到漏极。所以mosfet只能阻挡一个方向的电流。

如果您想要一个以地为参考的负载，您可以使用 P 沟道 MOSFET。这将是您描述的电路的镜像，即源极连接到较高电压，漏极通过负载连接到 0V。但是，您的栅极驱动器需要反转，并且需要接近您的较高电压才能关闭负载。

问题是内部二极管，它总是以 0.7V 的压降反向传导，所以当你打开 MOSFET 时，你会将该压降降低到 0V，仅此而已。