从设计的角度来看，主要和最明显的区别是基极电流：正如 Russel 所说，双极是电流驱动的，这意味着流入集电极的电流将与流入基极（和发射极）的电流成正比将输出 KCL 的总和）；相反，MOSFET具有非常高的栅极阻抗，只需施加高于阈值的电压即可激活它。

双极晶体管具有相当恒定的电流增益，\$ h_{FE} \$，它给出了线性响应，而 MOS 具有相当复杂的响应（与 Vgs 处于饱和状态的二次方，取决于“线性”中的 Vgs 和 Vds）。

另一方面，它的固定增益可能不足以将其用作开关，其中低功率输入用于打开大电流负载：在这种情况下，达林顿配置（两个级联 BJT）可以提供帮助，但是MOS 没有这个问题，因为它的电流增益几乎是无限的（没有我们所说的门电流）。

另一个可能相关的方面是，由栅极中的电荷控制的 MOS 不喜欢它处于浮动状态（未连接）：在这种情况下，它会暴露在噪声中，并会导致不可预知的行为（可能破坏性的）。从这个意义上说，需要基极电流的 BJT 更加稳健。

通常 BJT 也有较低的阈值（MOS 约为 0.7 V vs 1+ V），但这非常依赖于器件，并不总是适用。

数量差异：

这实际上取决于您正在处理的电路类型和电压水平。但一般来说，晶体管（BJT 或 FET）是一个“复杂”组件（我的意思是复杂，它不是电阻器、电容器、电感器，也不是理想的电压/电流源），这意味着从电路分析角度看来，您应该首先为晶体管选择正确的模型，即由代表晶体管行为的非“复杂”组件组成的电路（谷歌为 Hybrid-pi 模型），以便对其进行分析。现在，如果您同时查看 BJT 和 MOSFET 模型，您将能够对它们进行定量比较并了解差异。您选择正确模型的方式取决于不同的因素，即：

• 准确性

• 复杂

• 如果是小信号还是大信号

（仅举几个）

定性差异：

查看论坛中关于晶体管的一些帖子，（例如 David Kessner 的）

在分析电路时，这会有所不同，因为 BJT 的电气等效模型与 FET 不同，因为正如他们之前所说的那样，BJT 的特性与 FET 不同。

从这张照片可以看出

这是由于 FET 的巨大输入电阻。

顺便说一句，如果我们使用不利的配置，输入电阻会变小，就像我们使用公共栅极或公共基极时发生的情况一样。