新处理器都是 3.3V 并且正在下降。因此，虽然我已经习惯了 5V arduinos 能够为 MOSFET 的栅极供电，但至少在大多数情况下，这将不再是真的。对于 IRF630，有人指出我确实需要将栅极驱动到 10V 才能获得额定导通电阻。那么执行此操作的规范方法是什么？我是否有 10V 电源，并降低处理器的电压，是否有一个从 3.3V 产生 10V 的电荷泵？电流将非常小，因为栅极具有巨大的阻抗。
最后，假设是 10V 电源，那么将电压切换到栅极的好方法是什么？我是否必须使用小结型晶体管，因为我没有电压来切换 MOSFET？
结型晶体管显示在此解决方案中：乘以 Arduino 板上输出引脚的电压
我只是问是否有其他方法。
三个选项。
使用具有兼容 3.3V 的 VGS 的 mosfet。通常称为逻辑电平 MOSFET。
使用一个简单的 npn 晶体管作为开关，以更高的电压驱动 mosfet。逻辑将被颠倒。
使用专用的 mosfet 驱动 IC。
假设您只有 3.3V 可用，您的 MCU 可以通过 gpios 提供至少 1mA 的电流，并且您的应用程序不需要超过 10A，我将使用与 3.3V 兼容的 N mosfet。
例如，当以 3V 为栅极供电时， PMV16XNR的导通电阻仅为 20 mOhm，并且可以提供略高于 6A 的电流。还有许多其他兼容的 MOSFET。
只是要小心从你的 gpio 添加一个电阻到栅极，所以切换 MOSFET 时的电流尖峰不会太大。对于 PMV16XNR，我在栅极前使用 500 欧姆电阻，因此尖峰为 6mA，最大开关频率接近 300 KHz。
如果使用此选项，请记住还要在栅极到地之间放置一个大电阻，这样如果 gpio 处于浮动状态，它就会断电。
如果您需要更大的 MOSFET，则可能需要 MOSFET 驱动器或电荷泵。
如果您告诉我们您的申请和更多详细信息，也许我们可以为您提供更好的帮助。
对于 P 沟道 FET，另一种选择是使用组合 N/P MOSFET 器件。它们在同一个封装中内置了 P 和 N FET。P 可用作高边开关，N 可在 3.3V 下驱动以打开/关闭 P。例如，SI4559ADY-T1-E3。
我一直在使用 Rds(at Vgs = 2.5V) < 52mΩ 的 NPN MOSFET AO3400，效果很好。它们可以从全球速卖通或 ebay 网上以便宜的价格购买（100 件不到 3 美元）。还有用于高端开关的 PNP MOSFET AO3401，其 Rds(at Vgs =-2.5V) < 85mΩ。AO3401 也可用于反极性保护。