选择 IGBT 或 MOSFET 的主要标准是额定电压、功率损耗（整个系统的效率），当然还有整个系统的成本。选择其中一个可能不仅会影响晶体管的损耗，还会影响冷却的重量和成本、整个产品的尺寸以及可靠性，因此有时，例如重量限制可能会迫使您使用 MOSFET 而不是 IGBT。

如果您查看此图，您会看到不同的区域，其中通常使用每种类型的开关：

选择特定的设备类型取决于特定的应用程序及其要求。

MOSFET在高频和低电流应用中占主导地位，因为它们可以非常快速地切换并在开启时充当电阻。

快速开关意味着当设备必须很小时使用它们，因为当您增加开关频率时，您可以减小无源滤波器的尺寸。

传导损耗与漏极电流的平方成正比，因此您不能通过结构传递大电流。

它们还具有有限的击穿电压，通常使用高达 600V。

IGBT具有更高的击穿电压，传导损耗大约等于 Vf*Ic，因此您可以在大电流应用中使用它们。它们的开关速度有限，因此它们通常用于低开关频率不是问题（声学噪声）的工业应用中。

这个问题真的很难给出肯定的答案。有些工作 FET 根本无法完成，有些工作 IGBT 根本无法完成。如果您所在的领域两者都是可能的解决方案，您可以考虑成本，包括占地面积和热管理，然后选择更便宜的一个。在许多情况下（尽管不是全部），这将是一个 FET。但在很多情况下，只是由应用程序为您做出决定。