我正在拆解华硕笔记本电脑电源砖（19V，4.74A），并在电路中遇到了这种奇怪的布置，在桥式整流器之后，有一个 MOSFET（Q1，N 沟道）可以产生 <1 欧姆从 + 电源 (330Vdc) 到负极的连接。这似乎是它唯一的功能，而且似乎只能导致输入保险丝熔断。正如您在我的粗略示意图中看到的那样，进一步向下当然是为 SMPS 变压器供电的开关 MOSFET (Q2)。你们中的任何一个工程师，这个可笑电路的目的到底是什么，如果它可以防止过压/尖峰，MOV不会比MOSFET便宜得多，也不会导致设备变砖在这样的事件之后？我很想听听你的想法！提前致谢！
编辑我有点在原理图中撒谎，L4 实际上是某种变压器，它的次级通向 MCU，它在板上被视为黄色胶带包覆变压器，顶部有宽铜箔条。供参考
那是功率因数校正电路。
FET Q1 将以高频开关，因此它不会将 300V 整流至 0V，因为路径中有电感器，L4 很可能是升压电感器，用于将电压转换为更高电压并将其存储在大容量电容器 C1 中。
但是，是的，很明显，如果 FET Q1 永久开启，当电感器饱和时，它会将 300V 短路至 0V，并且会烧断保险丝。
正如另一个答案指出的那样，这看起来像是有源功率因数校正。
功率因数是实际功率（净能量传输的短期平均速率）除以视在功率（RMS 电压乘以 RMS 电流）的比率。最大可能的功率因数为 1，并且当电流波形与电压波形完全成比例且同相时达到。
请注意，许多消息来源会在相位方面讨论功率因数，当您讨论交流电机时，这种世界观是有道理的，但在讨论整流器 - 电容器电路时却没有真正意义。
传统上，在开关模式电源中，您需要一个整流器，然后是一个大的“初级电容器”。这种设置的问题是它的功率因数很糟糕，电流以接近交流波形峰值的小尖峰形式吸收，而在其他时间没有电流吸收。
通过在输入端串联一个大电感可以稍微提高功率因数，这会降低电流的变化率，从而将电流尖峰分散一点，这就是所谓的“无源 PFC”。
像您的电源这样的有源 PFC 更进一步，它在整流器和主初级电容器之间增加了一个升压转换器。在您的原理图中，这个升压转换器由 Q1、L4 和 Q1 上方的二极管组成。
当 Q1 导通时，电荷在 L4 中建立，当它关闭时，L4 放电到电容器中。这允许在整个周期中以受控方式从电源汲取电流，从而实现非常高的功率因数。对于具有主动功率因数校正的电源，通常声称其功率因数为 0.99。
无论线路电压如何变化，它还允许在初级电容器上保持一致的电压。这在实现通用电压电源时很有用。存储在电容器中的能量取决于电压的平方，因此 3 倍的电压变化* 转化为 9 倍的存储能量变化。
* 通用电压电源砖的标称输入电压范围为 100-240V，实际电压范围会更宽，以允许电源电压变化，因此全输入电压范围一般约为 3x..