理论上电路没问题。
需要在实践中进行改进。
在所有具有感性负载的电路中,添加一个 12V (> Vgate_drive) 的栅源齐纳二极管确实是一个非常好的主意。在漏极电压发生意外或极端变化期间,这可以防止栅极被“米勒电容”耦合到漏极而破坏性地驱动。
将齐纳二极管安装在 MOSFET 附近。
将阳极连接到源极,将阴极连接到栅极,这样齐纳二极管通常不会导通。
10k 栅极驱动电阻(如图所示)很大,会导致 MOSFET 缓慢关闭和开启以及更多的功率耗散。这在这里可能不是问题。
在此应用中,所选的 MOSFET 非常边缘化。
Digikey 现货供应的好得多的 MOSFET 包括:
对于 26c/10 Digikey IRLML6346 SOT23 pkg,30V,3.4A,0.06 Ohm,Vgsth = 1.1V = 栅极阈值电压。
NDT3055 48c/10 TO251 带引线 60V,12A,0.1 欧姆,Vgsth = 2V
RFD14N05 71c/10 TO220 50V,14A,0.1 欧姆,2V Vgsth。
添加
适用于 3V 栅极驱动的 MOSFET:
系统只是破坏了我更长的答案:-(。所以 - MOSFET 必须具有不超过 2V 的 Vth(阈值电压)才能与 3V3 电源控制器正常工作。
建议的 FET 均不符合此要求。
它们可能会在一段时间后工作当前负载,但驱动不足且损耗过大,并且该解决方案不能很好地扩展到更大的负载。
似乎 IRF FETS 在相关尺寸范围内,具有 Vth (of Vgsth) <= 2 伏特除了 IRF3708 之外,所有的 4 位数字代码都以 7 开头.
OK FET 包括 IRFxxxx,其中 xxxx = 3708 6607 7201 6321 7326 7342 7353 7403 7406 7416 7455 7463 7468 7470
还会有其他的,但所有建议的似乎都具有 Vth = 4V 或 5V,并且在此应用中处于边缘或更差。
Vgsth 或 Vth 需要至少比实际栅极驱动电压小一伏,理想情况下是小几伏。