你有一个正确的想法：

但是电容放错地方了。对于压摆率控制，它应该在漏极和栅极之间，而不是你展示的源极和栅极之间。将它放在漏极和栅极之间会产生反馈，因此当漏极快速上升时，它会更多地关闭 FET。

只需在漏极和源极之间设置一个上限就足够了。时序依赖于一些通常鲜为人知的参数，并且在栅极接近其阈值电压之前，斜率限制不会生效。

这是我使用过几次的更复杂的斜率限制电源输入电路。

该设备通过两条 CAN 总线、地线和 24 V 电源连接到系统的其余部分。它可以随时热插拔。不能让插上电源突然拉出大电流脉冲。

CANPWR 直接连接到 24 V 电源总线，24V 是该设备的内部 24 V 电源。该电路的目的是使 24V 缓慢上升，以将浪涌电流限制在可接受的水平。在那之后，它应该尽可能地避开。

24V 上的上升电压斜率导致电流通过 C2，C2 开启 Q3，Q1 开启 Q1，Q1 试图关闭功率传递元件 Q2 的栅极驱动。请注意，这会在 24V 电压低于 1V 时启动。

当 R4 上有足够的电压开启 Q3 时，就会出现斜率限制反馈。考虑到开启 Q1 所需的 R5 压降，该图约为 1.5 V。因此，斜率限制是通过 (1.5 V)/(10 kΩ) = 150 µA 通过 C2 所需的。(150 µA)/(1 µF) = 150 V/s。因此，上升 24 V 大约需要 150 ms。我记得用示波器测量了几个 100 毫秒的上升时间，以便所有检查。

一旦 24V 网络上升，R3 保持 Q2 导通，D2 将其栅源电压保持在允许范围内。

低技术解决方案：

• 在输入盖之后安装保险丝。在稳压器输入端添加一个 100nF 电容以确保其稳定性。
• 用 Polyswitch 更换保险丝（反应时间会更慢）。
• 将电容器与保险丝并联

我首选的解决方案是第一个或第二个。

中等技术解决方案：

添加一个与输入电容串联的电阻，并与一个肖特基二极管并联。电阻器将减缓电容器充电，如果 LDO 需要电流，二极管将允许快速放电。有点不稳定的解决方案...

高科技解决方案：限流器使用...

• 一个耗尽型 MOSFET，如 DN2540。
• 限流高边负载开关

任何基于实用逻辑的“监督”电路都不适合您可用的空间。一个简单的 NTC 电阻器最终也可能会太大。当然看看那些，也许有一个适合你的目的的小东西。

如果你有更多的空间，我会使用一个恒流限制器来切断输出，有点像电流 PWM，直到电容充电。在电容之前使用一个检测电阻器、比较器和另一个 PFET。但这绝对不适合您的电路。您可以将我描述的模块设计为串联设备，然后再从电池到达电路的 VIN。NTC 电阻器也是如此，可能是在显示电路的 PCB 之前。

更好的分立解决方案可能是这样的：在电容器/FET 之前串联一个 2 欧姆的功率电阻器绝对仍然是一种选择。如果你有一个额定电流为 125mA 的保险丝，那么在正常情况下你显然有一个非常低的功率负载。为了留出电压裕量，您应该使用反向 PFET（漏源与高端开关的正常配置相反），而不是使用肖特基二极管，基极接地。这是一种用于反极性保护的极低 V 正向解决方案。在您的 125mA 额定熔断器电流下 2 欧姆（顺便说一句，在接近保持电流的情况下运行是个坏主意）只会损失 250mV，比您的肖特基损失要少，并且仍然有足够的空间用于电缆和 PFET 下降。PFET 的导通电阻将在 30-90 毫欧的数量级，如果你得到好的的话。您能做的最好的事情就是制作电路原型并进行测试。电阻器和反向 PFET 根本不应该占用太多空间！我认为在 4.5mm x 4.5mm 中可以安装一个 SOT23（或 SC-70）封装 PFET 和一个 0.25W 0805 封装电阻器。

像MTM231232LBF这样的 FET 可以很好地工作，但它需要一个齐纳二极管钳位在器件之后的栅极接地。参见下图示例电路，但齐纳电压显然需要 <10V 以保护栅极。5-7V 之间的齐纳电压将起作用。

齐纳二极管和电阻器组合可以是您能找到的最小的封装。除了确保您的 FET 不会弹出之外，他们几乎没有做任何事情。

因此，串联电阻器和基于 PFET 的极性保护的组合可为您提供所需的电压余量，这将有助于避免负载处下游电容器出现短路。MOSFET 本身也不会立即开启，因此它只是在其非线性开启行为中充当一个限流器。

我正在尝试做类似的事情，本应用笔记对如何布置电路以及计算适当的值有非常精确的指导： http ://www.onsemi.com/pub/Collat​​eral/AND9093-D.PDF

^{模拟此电路- 使用CircuitLab创建的原理图}