正向偏置的半导体结需要一个电压电平，以便能够将电荷推过 PN 区。可以将其想象为类似于您必须将每个大理石从地板上“抬起”到桌面的方式。除了在结上传输电荷所需的能级差之外，二极管的电阻部分也会降低一些电压。二极管中的电阻降将取决于允许通过结的电流量。

这是由于 PN 结中固有的耗尽区。 http://en.wikipedia.org/wiki/Depletion_region

这有点令人困惑，但本质上是由于载流子（电子和空穴）的损失。空穴只是电子“可能”存在的地方，但可以把它想象成一个没有电荷载流子的小区域，或者像一小条绝缘带。

您需要电压（力）将电子推过该区域。

当你对二极管进行反向偏置时，这个耗尽区会变得更大。

所有半导体结 (PN) 都有这样的电压降（硅约为 0.7V）。不仅在二极管中，在 BJT 晶体管、JFET 等中也是如此。