严格来说，晶体管是非常非线性的器件。在基极/发射极电压上升到足以使基极/发射极结正向偏置之前，双极晶体管根本不会放大，并且在栅极/源极电压接近阈值电压之前，您不会有大量电流通过 MOSFET。

但是，我们可以使用巧妙的电路来偏置晶体管，这意味着会施加相当大的直流电压和电流。偏置条件将晶体管保持在工作偏置点，使得晶体管的行为在偏置点周围的小范围电压或电流上相当线性。大信号分析涉及设置偏置条件并处理晶体管的非线性行为。小信号分析假设晶体管被正确偏置并专注于小信号的线性行为，而忽略了混乱的非线性因素。

小信号分析包括：

(1) 找出电路的静止点或工作点。这是通过将所有信号源归零而只留下直流源，然后求解电路中的直流电压和电流来找到的。

(2) 在工作点线性化非线性电路元件。例如，用一个电阻器代替二极管，该电阻器模拟特定工作点的动态电阻。动态或小信号电阻是电压变化与工作点电流的微小（实际上是无穷小）变化之比。

(3) 寻找小信号解决方案。直流源归零，信号源激活，线性电路分析用于求解小信号电压和电流。

解决了小信号电压和电流后，总解决方案只是直流解决方案和小信号解决方案的总和。该总解决方案是仅当信号在某种意义上较小时才有效的近似，即电路中的电压和电流的变化相对于直流电压和电流较小。

对非线性元件进行小信号分析，将非线性元件在非线性器件工作点附近用线性元件(R,L,C)代替，这里可以使用线性方程。