这些晶体管不会导通，除非 NPN 的 Vbe>0.6V，PNP 的 Vbe<-0.6V。并且由于基极和发射极连接在一起，因此这两个条件不可能同时为真。因此，当一个晶体管打开时，另一个晶体管将关闭。

然而

如果 R2 太低，则开启的晶体管将“饱和”。并且当饱和时，在去除基极电流后需要很长时间才能关闭。这个问题和答案讨论了该问题的一个著名解决方案。

然而，R2 的当前值限制了基极电流，因为 R2 两端的电压会相对较低，因此晶体管不会硬饱和，并且会相对较快地关闭。

在真正的图腾柱配置中，击穿通常在切换期间发生的时间很短。

但是，您拥有的不是图腾柱配置。你有两个背靠背的发射器追随者。在这种情况下，您不会被击穿。对于要打开的每个晶体管，基极必须是从发射极到集电极电压的一个结压降。因此，您的双射极跟随器具有 2 个结压降（约 1.2-1.4 V）死区，两个晶体管都不会在该死区上导通。

例如，假设 Vtp 为 6 V，并且每个晶体管需要至少 600 mV BE 电压才能以有意义的方式开启（对于 PNP，实际上是 -600 mV，但在这种情况下是隐含的）。这意味着当 R2 的右侧在 5.4 到 6.6 V 的范围内时，两个晶体管都关闭。如果该电压高于 6.6 V，则顶部晶体管将开始变为 1，这会导致电流从其发射极流出，从而将 Vtp 提高到低于驱动电压 600-700 mV。对于底部晶体管，同样适用于相反的符号。当驱动电压低于 5.4 V 时，底部晶体管开始传导并通过其发射极吸收电流，这反过来将 Vtp 拉低以保持低于驱动电压 600-700 mV。