部分答案-可能会很长-以后可能会添加更多：

这种情况下的选择通常是双极或 MOSFET。一旦您接触到 JFET，您可能还希望考虑 SCR/TRIAC、IGBT，...。您可能希望将双极-达灵顿加入其中。

简短：类似于 -

• 高达 500 mA 和 30 V 负载电压的小型双极器件成本低，可以由 1V 的驱动电压驱动，需要大多数处理器提供的驱动电流，并且可以广泛使用。

  • 在开关模式下运行时散热通常不需要或适中（适中的 PCB 铜通常就足够了），SOT23 或 TO92 尺寸的封装通常就足够了。当驱动线性负载并且耗散增加时，需要更低的 VI 产品和/或更好的散热和/或更大的封装。

  • 10kHz 的频率可用于单个电阻器驱动，100kHz 的频率可用于稍微复杂的 RC 驱动，而低 MHz 则更加小心。更高的再次获得专家

  • 在此范围内的易用性通常与 MOSFET 一样好或更好，而且成本更低。

• 对于大约 500 mA 到 10 安培、10 到 100+ 伏特的电流，MOSFET 通常更易于使用。对于 DC 或低频开关（例如 < 1 kHz），在典型的微控制器级别上的直接 DC 栅极驱动可以通过选定的部件实现。
  随着频率的增加，需要更复杂的驱动器在足够短的时间内对栅极电容（通常在 NF 左右）进行充电和放电，以使转换期间的开关损耗保持在可接受的水平。在 10 kHz - 100 kHz 范围内，通常 2 或 3 个软糖 BJT 的简单驱动器就足够了。（因此，如果您使用 MOSFET，则需要添加 2 或 3 个 BJTS）。可以使用专业驱动器 IC，但通常不需要或成本合理

• 对于更高的电压和/或更高的频率，双极开始再次获胜。
  存在专业双极器件，例如电视线路输出设备（那是什么？:-)），其运行电压约为 1 kV，Beta 约为 3（！！！）。作为基本功率 ~= Vdrive x Idrive 和 Vload >>> Vbase Ibas ~= Iload 并不重要。

• IGBT 是一种与野兔一起奔跑并与猎犬一起狩猎的尝试（通常是成功的）——它使用 MOSFET 输入级来获得低驱动功率和双极输出级以在高频性能下获得高电压。

• 达林顿晶体管（两个双极“串联”）（正确地，可能是“达林顿对”）具有非常高的 Beta（1000+ 常见），其代价是 Vdrive = 2 x Vbe（相对于单个 BJT 的 1 x Vbe）并且输出晶体管的 Vsat > Vbe 并且如果硬驱动到饱和，则明显不愿意关闭。限制基本驱动以停止饱和减慢进一步增加 Vast_minimum。

  • 我最喜欢的老式但有用的开关稳压器 MC34063 包括一个功能惊人的输出驱动器，它是一对达林顿。它可能很有用，但必须在其巨大的 [tm] ~ 100 kHz 全速下避免饱和，因此当输出饱和的 Volt + 显着降低负载驱动电压时，效率会在低 Vsupply 下受到影响。

  • 一个小的达林顿晶体管可以从 1.5V（更好）驱动，通常 <= 每安培负载 1 mA。如果输出饱和度是可以接受的，它们会非常有用。

  • 有用且流行的 ULN200x 和 ULN280x 六进制和八进制驱动器 IC 使用集电极开路达林顿，每通道额定电流为 500 mA（理想情况下不是一次全部）。有一系列输入电压版本，有些甚至无需电阻器即可直接驱动处理器。ULM2003 和 ULN2803 是最著名的，但不一定是处理器驱动应用中最有用的。

考虑因素包括但不限于功率水平、驱动电压、负载电压、可用驱动水平、开关速度、所需的简单性、散热、效率、制造量和商业/爱好者、成本……。

在低功率水平和适中的电压下——比如 10 伏特和 500 毫安以下（可能高达几安培），小型双极可能是一个不错的选择。驱动电流约为 Iload/Beta（Beta = 电流增益），Beta 0f 100 至 250（500 mA）可用于性能更好的部件，500+ 可用于专业部件。例如 BC337-400（我最喜欢的 TO92 BJT tipple）的 Beta 为 250-600，其 sqrt(250 x 600) ~~= 400 因此零件名称。250 的“保证”Beta（请查看数据表）允许每 mA 驱动器的 Iload 为 250 mA。使用 2 mA 驱动器 - 大多数但不是所有处理器都可用 - 您可以获得 500 mA 负载电流，尽管更多驱动器不会误入歧途。这可以通过 1V 或更高的驱动电压来实现，因此在 3V3 甚至 2V 上运行的处理器可能会处理得很好。具有足够低 Vgsth（栅极阈值电压）的 MOSFET 可以在这些驱动电压下运行，但在低于几伏驱动电压时它们变得更稀有和更专业。所需的最小驱动电压通常比 Vgsth 高几伏或几伏（请参阅每种情况下的数据表）。

双极具有取决于负载电流、驱动电流和特定设备类型的状态电压降 (Vsat)。额定电流下十分之几伏特的 Vsat 非常好，500 mV 可能是典型值，甚至更高，这绝不是未知数。MOSFET 具有导通电阻 Rdson 而不是 Vsat。Rdson 取决于驱动电压、负载电流和器件（至少）。Rdson 随温度增加，可能会超过环境温度值的两倍。采取应有的注意 - 数据表通常作弊并给 Rdson 脉冲负载，并说 1% 的占空比和足够低的频率以允许脉冲之间的模具冷却。很调皮。在“愤怒”使用时，根据经验，将公布的值翻倍，尽管有些部件管理说仅比环境温度增加 20% 至最高温度 - 请参阅每种情况下的数据表。

在 500 mA 时具有 100 mV Vsat 的双极电阻具有 R = V/I = 0.1/0.5 = 200 毫欧的等效电阻。Tji 的数字很容易通过 MOSFETS 得到改善，通常 Rdson 为 50 毫欧，低于 5 毫欧是合理可用的，低于 1 毫欧可用于有特殊需求和更大钱包的人。

补充：当您需要从 Andy Aka 的回答中扩展 2 点时，这是一个冗长且有用的方法。

@Andy aka 在他的回答中提出了我上面的回答中缺少的两个非常好的观点。我更专注于开关和负载驱动方面。

安迪指出（不完全是这些话）：

(1) 与 BJT 相比，MOSFET“源极跟随器”上的输入和输出之间的电压定义较少，而且对器件的依赖性更大。当用作射极跟随器时，“参考”电压施加到基极，输出电压取自发射极，BJT 在典型操作中从基极到集电极下降“约”0.6V dc。在极端设计（非常低的电流或非常高的电流）中，可以预期低至约 0.4V 和高至 0.8V 的电压。一个 MOSFET 源极跟随器在栅极和源极输出上将至少下降 Vgsth 从栅极到源极 + 需要额外的栅极电压来支持汲取的电流 - 通常多 0.1 到 1 伏，但在高负载或高负载时可能为 2V+低规格设备示例。Vgsth 取决于设备，从大约 0 开始变化。5V 到 6V+，通常是 2 到 6V。因此，源极跟随器压降可能在 0.5V（罕见）到 7V+（罕见）之间。

(2) 晶体管是一个 1 象限器件（例如 NPN = 栅极 +ve，集电极 +ve，两个发射极都用于打开但“未定义”负 Y 轴轨迹（基极零，集电极负，对于取决于器件的电压，但通常会出现“一些伏特”。当 MOSFET 关闭时，反向偏置 MOSFET 在漏极源极端子之间呈现一个正向二极管衬底二极管，当 MOSFET 关闭但正向偏置时，它与一个小电容器非常接近。所以, 随着电压的增加，超过约 0.8V 峰峰值的交流信号在反向偏置半周期上被越来越多地削波。这种影响可以通过串联两个相同类型的 MOSFET 来克服。栅极连接为 Vin，源极连接作为浮动中点，漏极为 vin 和 vout 任一极性。这种安排实现了真正令人敬畏和有用的开关，并且还导致那些没有意识到 MOSFET 在象限 1 和 3 中打开的人有些头疼（对于 N 通道 FET 象限 1 = DS+、SG+。象限 3 = DS - SG+）。

在低压逻辑电路的射极跟随器应用中，BJT 可能会在发射极处提供货物，而等效 FET 电路的栅极-源极电压变化会明显更大，这将导致结果不一致。

我想一个例子是向 BJT 施加电压以设置发射极电阻两端的电压，以便集电极负载中的电流是“恒定的”。我试图想出一个体面的实际例子，但什么都没有想到 - 好的，是的，控制激光二极管的偏置点！

概括地说，我认为任何需要电压跟随器类型配置的东西都更适合 BJT，特别是如果逻辑电源非常低，即 3V3 或更低。

也许还有，如果需要使用钳位晶体管将交流信号（例如来自麦克风放大器的信号）静音，双极可能会“承受”来自集电极上交流电的几伏反向偏置（当不静音时），而 FET可能会在半个周期内将未静音的信号剪掉一点。

不过，JFET 在此应用中会更好。

我发现这篇文章解释了 BJT 和 MOSFET 与微控制器一起使用的优缺点。

https://oscarliang.com/bjt-vs-mosfet/