有两种主要机制，但首先是图表：

主体和源是绑定在一起的，为简单起见，删除了几个功能。

场景一：

• 漏极上的过电压尖峰，导致灯丝、触点和漏极注入尖峰。IT 可能会或可能不会导致触点失效/熔化，但非常高的电流会导致 D/B 结击穿。一旦结被尖峰，它就连接到阱漏极和源极现在短路。这只需要在晶体管中的一个位置击穿

场景二：

• 漏极上的高电压，导致 GOX（栅极氧化物）上的 EOS（电过应力），特别是在最靠近漏极的栅极上。这很可能是具有扩展漏极结构的 LDMOS 结构（这意味着栅极电压不必达到与漏极相同的电压）。栅极端的击穿会导致栅极短路以漏极。一旦它被短路，它现在基本上总是打开的，而且，门现在被驱动到它不打算达到的水平并且故障消失了。这仍然只需要晶体管中的一个故障。

还有其他情况，但它们都需要两个故障。

该设备相当大，在显微镜下可见。消除这可能是有益的。

那实际上是一个MOSFET。漏源短路是 MOSFET 中常见的故障模式，通常是由栅极上的瞬态引起的。

任何损坏芯片的东西都可能导致漏源短路。（有时模具会把自己炸成碎片。）

这包括：

• 栅极过压/欠压
• 不良/不当的栅极驱动导致热失控
• 一般的热失控（冷却损失/强制通风）
• 雪崩诱发的 EOS

如果没有更具体的应用程序信息，很难判断哪种模式可能是罪魁祸首。