有件事困扰了我一段时间。当我查看涉及比 RLC 组件（可能还有运算放大器）更复杂的电路时，我很难弄清楚它在做什么，除非它是我以前见过的配置。
相比之下，我非常有信心，无论给我的 RLC 电路多么复杂，我最终都能弄明白。
现在，当我分析 RLC 电路时，我的工具基本上是
\$V = 红外\$
\$I = C \frac{dv}{dt}\$
\$V = L\frac{di}{dt}\$
这些组件的并联和串联组合（我想这与基尔霍夫定律并没有真正分开，但是......）
基尔霍夫定律
所以我要问的是我缺乏哪些工具来分析更复杂的电路？主要是我想知道如何分析涉及 BJT 和 FET 的电路。似乎晶体管的工作模式有很多，很难让它们保持一致。有人知道一个很好的网站，可以列出所有内容吗？
谢谢
编辑我还想提一下，在实践中，当温度变化时会有 \$V \neq IR\$ 之类的东西。我现在不关心这个，我同意 stevenvh 的观点，即需要模拟，但我希望能够将这些概念很好地理解为设计一个电路，然后我可以通过模拟等进行调整。
晶体管在第一次近似时并不难理解，这足以至少理解许多电路中发生的事情。
以这种方式考虑 NPN 晶体管：您通过 BE 输入少量电流，这样就可以通过 CE 获得大量电流。多与少之比是晶体管增益，有时称为 beta，有时称为 hFE。一个小问题是 BE 路径看起来像一个硅二极管，因此通常会下降约 500-700mV。当 CE 路径允许的电流超过外部电路提供的电流时，它可以下降到大约 200mV。细节还在继续，但您可以通过 NPN 晶体管的简单视图完成很多工作。
PNP 与极性翻转是一样的。发射器处于高电压而不是低电压。控制电流流出基极而不是流入基极，集电极电流流出集电极而不是流入基极。
让我们先坚持一下双极晶体管并首先了解它们，因为这似乎是您要问的更多问题。FET 在第一次近似时同样易于理解，但我不想在这一点上混淆事物。
虽然上面的模型对于理解大多数晶体管电路很有用，但它提出了许多晶体管的使用方法，这些方法可能并不明显。使用 NPN 在概念上显而易见的方法是将发射极连接到地，将集电极连接到正电源，并串联一个电阻器。现在，基极电流的微小变化会导致集电极电压发生很大变化。
棘手的部分不在于理解晶体管的工作原理，而是想象你可以用这样的设备做的所有很酷的事情。进入所有这些对于在这里发帖来说太过分了。我建议您考虑一下我上面描述的简单模型，然后查找一些常见的晶体管电路拓扑，并思考如何利用晶体管的简单特性来做有用的事情。
根据简单模型具体查找和分析的内容有：
使晶体管难以使用的原因是您必须了解许多相互影响的不同参数，而这些参数都不是线性的。因此，准确地模拟它们的行为并不容易，这就是我们使用 SPICE 等仿真工具的原因。你仍然需要知道你在做什么来设计电路，但是 SPICE 会帮助你检查你的设计/计算，有时你必须简化。
我不确定网站是否会全面介绍这一点。我认为一本好的教科书会给你更好的信息。也许其他人可以推荐一些。
从反复接触中学习并不是学习事物的坏方法。您将获得真正的实践知识，并了解解决典型问题的典型电路。
晶体管的问题在于它们不是线性器件，因此不会有任何简单的方程适用于几乎所有条件，例如无源器件。通常的方法是认识到在任何给定时刻，晶体管以几种特征方式之一运行 - 截止，激活，饱和。在这些模式中的任何一种中，您都可以应用一些近似值来分析晶体管电路，但必须理解这些近似值仅在限制范围内成立。
例如，如果您首先确定晶体管将在其有源模式下运行，然后您可以绘制小信号交流等效电路，其中晶体管（在最简单的模型中）被一个电阻器和一个电流 -依赖电流源。然后，您可以使用线性方程对等效电路产生良好的影响。为什么它被称为小信号交流等效呢？因为如果你应用一个足够大的信号，你就会打破模型的限制；大信号输入可能会驱动晶体管截止或饱和，从而使模型无效。
模型越精细，您计算的响应就越准确。但是，坚持使用基本的 Common Emitter NPN：
底座上有两个电阻，用作分压器。通常，它们的值大致相同，使基准约为电源电压的一半。
发射极低于基极约0.6V。如果发射器上有一个电阻器，您现在可以计算出通过它的电流。
发射极电流也通过集电极。如果集电极上有一个电阻，您现在可以计算出其两端的电压。
DC就是这样。
对于交流电，基极上的几毫伏变化可能会变成集电极上的几伏。如果发射极电流（和/或集电极电阻）太大，或基极偏压为奇数，则会出现饱和或截止 - 这会使您输入的信号失真。这并不总是一件坏事（想想：吉他失真效果） .