如果将一个非常大的 MOSFET（即具有非常宽的通道）实现为单个物理器件，就像您在课堂上看到的那样，那么栅电极会很长很薄。这会导致栅极出现明显的 RC 延迟，因此 MOSFET 会非常缓慢地开启和关闭。此外，很难将这样的设备放入包装中，因为它的宽度是长度的数百或数千倍。

因此，如果将 MOSFET 分解为许多小型 MOSFET，它的电气性能更优越且更容易处理。所有这些小型器件的源极、漏极和栅极端子都是并联连接的。结果就像您构建了一个巨大的设备一样。

在 CMOS VLSI 设计中，这些小器件通常被称为“手指”，实际上被绘制为平行结构。然后交替的手指可以共享它们的源极/漏极区域。功率 MOSFET 使用其他技术来形成单个小型器件。

以下是数模转换器设计的示例： 来源：pubweb.eng.utah.edu

黄色层是多晶硅，长的垂直条纹是 MOSFET 栅极。红色层是金属，白色方块是从金属向下到多晶硅栅极或源极/漏极区域的触点。在右上角，您可以看到一个带有五个平行栅指的大型 PMOS 晶体管。在栅指之间是源极和漏极区，看起来像三个平行的源极和三个平行的漏极。像这样共享源极/漏极区域也降低了这些结构到下面的衬底（N 阱）的电容。链接页面有几个示例说明如何将其用于模拟 CMOS 的设计。我的经验主要是在数字设备方面，但是当我们需要一个用于全局时钟或 I/O 引脚的高驱动缓冲器时，我们使用了相同的想法。

我猜这句话是参考了功率MOSFET的结构，比如国际整流器的HEXFET结构。

有关 HEXFET 结构的更多信息，请参见例如http://www.rfwireless-world.com/Terminology/HEXFET-vs-MOSFET.html。

编辑：HEXFET 只是一个特定制造商的一种特定设计。其他制造商的功率 MOSFET 肯定有相同的设计。