你必须证明零件是坏的。它们可能会被 ESD 损坏。

如果您只拉出 Q5 或 Q3 并测量 V(Q1-C)，那么就会将问题隔离开来。然后验证 R1 是 10k 而不是 10M 或其他。

该设计的唯一弱点是电路关断速度慢且负载电抗未知。

通常，任何 FET （例如额定 8mΩ @ VGS = -10V 的FET）都由大约 1000x （数据表中使用的 8Ω ）的栅极驱动器电阻驱动， 但您的R1/RdsOn 比率约为 1000 万。这使得它变得缓慢并且容易发生振荡，并根据布局对栅极电压进行杂散电感/电容反馈。

• 此外，您将 ~(4V-0.7)/1k=3.3mA 放入基极，并且能够驱动 >>100mA 进入栅极电容 Ciss，直到 Vce 饱和。但是上拉到关闭只有 12V/10k = 1.2mA，这会导致虚假的关闭行为。更多的设计余量最多会为 R1 使用 1k。

结论：

如上所述测试 FET 的 ESD 损坏、栅极泄漏。降低 R1。

没有关于是否/何时发生 ESD 损坏的假设。

关于克隆零件的文章。

http://www.sae.org/aaqg/audit_information/2010/Atlanta/Impact%20of%20Counterfeit%20Parts%20NASA.pdf

我怀疑他们可能已经用具有低压栅极保护齐纳二极管的 MOSFET 代替了 DI 部件。没有动力去低于 Q1，它们在中国非常便宜，任何类似的部分也可以。另一方面，MOSFET 价格昂贵。

您的电路会缓慢关闭，因此如果负载为低阻抗，它可能会对 MOSFET 施加很大的压力，但这不太可能导致观察到的效果（尽管在某些情况下可以想象）。

如果您有另一个行为不端的电路板，如果您想测试我的理论，请尝试仅更换 Q3。您还可以联系 DI 并提供零件标记的高质量照片，并询问他们是否与在世界任何地方销售的零件相匹配。当然，您可以将它们与您通过分销购买的零件进行视觉比较，但通常使用多种包装设施，并且标记可能会有所不同，尤其是（但不限于）非常不同的日期代码，因此差异不是决定性的。如果它们看起来完全一样（从批判的角度来看），包括标记方法、字体和传递模塑上的小特征，这很好地表明这些零件来自同一家工厂。

对于这么小的数量，他们可能会派人到市场（在深圳华强北路）并从众多零售供应商之一那里获得任何可用的零件。如果您想 100% 确定，请将您自己的零件寄给他们，尤其是在数量不多的情况下）。

我敢打赌你确实有零件问题，但问题可能是由于你的 MBT2222。一种广泛使用的通用 N2222a 晶体管可能正在被交换，并且已经由数百家制造商按照谁知道什么规格来制造。