我设计了以下电路，以将 12-20V 信号连接到以 3.3 伏电压运行的微控制器。信号为 20V 或开路。
我希望电路尽可能有弹性。它应该能够处理 EMI 和 ESD。
欢迎对此电路提出任何意见和改进。
附带问题：这个晶体管可以承受的最大正电压是多少。数据表规定峰值基极电流为 100mA。如果基极保持在 0.7 伏，则输入可高达 1000 伏（10k 欧姆 * 100mA）。但是，如果输入为 1000 伏，分压器使电压为 500 伏。根据数据表，最大 Vcb 为 60 伏。
在我看来很好。反向二极管 D1 是个好主意。如果您有至少 12V 的可用电压，您可能希望稍微降低 R2。该电路的阈值可能为 2V，您可以轻松地将 R2 减半或将 R1 加倍。
在瞬时极端过电压的情况下，基极-发射极电压（正向偏置）不会上升到 1 伏左右，即使是 100mA。它看起来像另一个与 D1 反向并联的二极管。BJT 在此应用中的优势之一。限制更可能是 R1 的电压额定值。
如果要考虑持续过压，可能必须考虑 R1 的额定功率。如果某个白痴将它连接到电源（我们通常可以假设大约 240VAC 是大多数白痴可以使用的电压 - 白痴可以使用更高的电压是一种自我消除的问题），那么 R1 将耗散近 6W，所以它必须是物理上很大的一部分。您可以通过增加 R1 的值来解决该问题，以便可以使用更小的部分。
当我需要一些“坚固”输入时，我自己设计了一个非常相似的电路。但是，我使用了 R1 = R2 = 100k（而不是 10k）。在 R3 = 10K 时使 Q1 饱和实际上并不需要太多输入电流。如果要保持相同的转角频率，请将 C1 减小相同的系数。
如果您想要一些滞后来改善开关特性，您可以考虑在 Q1 的发射极和地之间放置一个 100Ω 电阻，然后将 R2 的底端连接到该结。
对于不太苛刻的使用，电路看起来还不错。
在极端情况下，它可能会结结巴巴。
没有指定对输入信号的频率响应和可接受的上升和下降时间，如果重要则需要知道。
Q1 的 Vbe 将基极钳位在 ~= 1V 最大值。
Ibe 可以通过使用从 R1-R2 结到地的两个二极管和一个从该点到 Q1 基极的小电阻器（例如 100 欧姆）来限制 Ibe，以便二极管将大量 Vin 瞬态钳位到大约 1.5 - 2 V 并且晶体管钳位基极说0.7V。
示例：如果瞬态驱动输入为 1000V，I_R1 = 100 mA。
如果两个二极管将 R1 的底端钳位为 2V，则基极电流为
(2V-Vbe)/100R = 13 mA。
可以调整值以适应。
电阻器的额定电压与耗散无关。
在非常高的电压下，R1 的额定电压变得很重要。
R1 的耗散为 ~=V^2/R，因此在 100V 时为 1 瓦，R1 = 10K。
在 1000V 时，R1 耗散为 V^2/R = 1,000,000/10,000 = 100 瓦。
您不希望长时间使用它，或者必须提供一个可以处理该稳定状态的电阻器。
这对于 ESD 不是必需的。如果您确实遇到过非常高的电压可能偶尔存在超过毫秒的情况，您可以使用在非常高的电压条件下关闭的开关输入。
IF 响应时间不需要很高 R1 的值可以增加以适应更高的电压条件。