MIM (Metal-Insulator-Metal) 和 MOM (Metal-Oxide-Metal) 电容器都是金属对金属电容器。

在 MIM 电容器中，金属板相互堆叠，并由一层（薄）氧化硅隔开。通常这种薄氧化物是在特殊处理步骤中制成的，因为金属层之间的“正常”氧化物要厚得多（为了坚固），这将导致单位面积的电容要小得多。我已经看到 MIM 电容每平方微米提供大约 1-2 飞法拉。

大多数 MIM 电容器使用金属 5 作为底板，薄氧化层，然后是“金属 MIM”作为顶板，然后通过通孔连接到金属 6，这将是可用的顶板连接。不允许直接连接到“Metal MIM”。

我还看到了“双 MIM”结构，其中“金属 MIM”顶部有第二个薄氧化层，它（通过金属 6）连接到金属 5 底板。这几乎可以使 MIM 电容的密度增加一倍。

另一种电容器是边缘电容器，它只使用一个金属层。该电容器依赖于边缘电容（侧电容）。俯视图如下所示：

MOM电容器由堆叠的边缘电容器组成：

在这三个中，根据我的经验，MIM 电容的单位面积电容最高。

这总结了金属电容器：

• 对于大盘，可以有相当准确的值。公差可以是 1%

• 电容与电压无关，换句话说，这些电容是非常线性的。

• 通常您可以将这些盖子放在其他电路的顶部，因为它们是纯金属的。

• 他们可以占用相当多的区域。

• 对于 MIM 帽（带有薄氧化物），通常有特殊的设计规则来防止 ESD 和制造损坏。

其他电容器类型是非金属电容器：

MOS 电容器：这些通常类似于 PMOS，其中栅极是顶板，漏极/源极连接是底板。MOS 电容的值很大程度上取决于施加的直流电压！

基于二极管的电容器：这些基本上是变容二极管，因为它们的电容随直流电压而变化。

这两个电容都是非线性的，因为它们的电容会随着施加的直流偏置电压而变化（与不受此影响的金属电容相反）。

如果您在正确的电压下对这些电容器进行直流偏置，它们的密度可以高于 MIM 电容器。对于本地电源去耦（直流电压无论如何都是恒定的），尤其是 MOS 电容器非常有用。

MIM是一种金属-绝缘体-金属电容器，因此它需要两个平行的金属层，并且它们之间有一个高\$\kappa\$电介质。MOM 电容器是金属-氧化物-金属，通常是通过将金属与工艺氧化物（例如 SiO\$_2\$，但也可以是 SiN 等）相互交叉制成。这实际上是唯一可以用于 IC 设计的两种类型。

MIM 电容的优点是每单位面积的电容更高，但它们需要更多的工艺步骤来制造。相反，MOM 电容的单位面积电容较低，但无需特定步骤即可制造，因为它是生产线的后端工艺。但是，使用纳米工艺，MOM 帽可以像 MIM 帽一样节省空间，因为您可以放入更多数字。