MOSFET 开关 - 未完全关闭?

电器工程 场效应管
2022-01-16 23:24:45

我在原型板上连接了以下电路。

在此处输入图像描述

BSS138 MOSFET 的数据表在这里我对我所看到的这个电路发生的事情感到困惑——当我在栅极电阻上施加 3.3V 电压时,MOSFET 完全打开,我看到输出端有 3mV。这当然是意料之中的。

但是,如果我从栅极电阻上移除 3.3V,下拉电阻会关闭栅极。我预计在输出端会看到大约 3.3V,但我只看到 2.7V。如果我用 5V 替换 R1 上的 3.3V,输出显示为 4V。换句话说,当 MOSFET 关闭时,R1 上的电压会下降。这是预期的吗?不知何故,我希望 MOSFET 在关闭时具有非常高的电阻,因此预计在它关闭时会下降大约 5V。

我对这个 MOSFET 的期望不符合吗?


测试 1:通过。

测试 2:漏极至源极 Vf = 0.515V,源极至漏极 = 0.09V,栅极至源极 = 0.07V。

这很奇怪。请注意,我已经做了多次测试。我总是得到一个一致的结果。我在任何地方都没有看到过开环。这让我相信我在处理它时确实摧毁了这个 MOSFET。一位同事告诉我,他昨天从同一个卷轴上摧毁了另一个 MOSFET。这导致我进入测试 4。

测试 4:不完整。我现在在处理这些 MOSFET 时更加谨慎。我没有意识到设备越小,损坏它的可能性就越大。我以前处理过 MOSFET,但它们的尺寸要大得多:TO-220。我确实从家里带了防静电腕带去上班,但是我工作的房间没有接地端子(见注!!但我正在努力尽快解决这个问题。我想我没有我什至会费心去做任何事情,直到我正确接地为止。我还订购了防静电垫。这里的环境相当干燥。但是建筑物中显然没有地毯,更不用说房间了,这导致我认为它要么是我的衣服,要么是我的办公桌。

我已经确定电路没问题。我也得到了另一个人的检查,这让我觉得我在这里还可以。

注意:这些只是您在第三世界国家必须忍受的一些事情!幸运的是,至少建筑物有接地连接。所以弄到我的房间应该不会太难。

3个回答

您的结果与预期的操作不一致。
要么你没有做你认为你正在做的事情,要么 MOSFET 损坏了,要么你的测试表的“欧姆/伏特”非常低。

Test1:将测试仪与 -ve 探头连接到地,并通过 1 k 到 3V3 连接 +ve 探头。
电压读数是多少?

这应该非常接近 3V3。
如果它不给或扔掉仪表并得到一个稍微好一点的:-)。

在这种情况下任何读数错误的仪表都是非常差的,并且仅用于例如电池测试。

Test2: 将仪表设置为二极管测试范围。
测量排水 - 源。
如果 Source = +ve,您应该会看到 Vf 高于普通硅二极管的二极管。
在 Drain 上使用 +ve,您应该会看到 O/C。
以任何一种方式连接 GD 和 GS 的metetr,你应该得到开路。

测试 3向 Olin 寻求建议。

测试 4:仔细检查您的电路。
重新检查 MOSFET 引脚排列。

尝试新的 FET。

请注意,MOSFET 非常容易受到 ESD 损坏 - 尤其是 D 或 S 的栅极。
使用适当的静电预防措施进行处理。


回来报告。

我同意拉塞尔的观点。我认为最有可能的答案是 FET 之前已损坏。过度泄漏是滥用的症状之一。例如,您是否曾经使用该 FET 来切换感性负载而忘记在电感器上放置一个钳位二极管?请记住,单个设备不像整个芯片那样具有保护二极管。即使是栅极上的少量静电放电也会损坏 FET。

FET很可能已损坏。如果您有另一个,请尝试一下。
除了 Russell 提到的,我建议检查下拉电阻是否正确连接。如果门浮动,您可能会看到这种行为。