当您将双极晶体管和 FET 用作您提到的低功率应用中的开关时,它们在输出侧的工作原理大致相同。两者都有两种口味,可以制作高侧或低侧开关。NPN 双极和 N 沟道 FET 是低侧开关,PNP 双极和 P 沟道 FET 是高侧开关。
双极和 FET 之间的区别主要在于它们的开启和关闭方式。通过基极运行一些电流来打开双极。这允许更大的电流流过集电极。可能的集电极电流与基极电流之比就是晶体管的增益。FET 由电压而不是电流控制。一个基本的 N 沟道 MOSFET 可能需要 12-15 伏的栅极电压才能完全开启,而 0V 则完全关闭。有一些称为“逻辑电平”的 FET 可以很好地在开启和关闭之间切换,可以直接由 3.3V 或 5V 逻辑输出驱动。
我不同意 Starblue,并说对于非常简单的用于爱好的开关应用,请获得一些好的逻辑电平 FET,例如 IRLML2502。它们每个将花费 10 美分,但只要一切都限制在 20V 范围内,它们就会非常令人费解。对于由专业人士完成的体积设计,我当然不会从这个开始,但如果你只是想从一个满足最多需求的答案开始,这是一个很好的第一部分来习惯。
一旦你准备好试验双极,2N4401 和 2N4403 各获得 100 个。它们非常便宜,可广泛使用,并且对于它们的尺寸来说非常坚固。它们也适用于切换 200mA 负载,但您需要了解更多才能很好地使用它们。您不能将它们直接连接到开关应用程序中的微控制器输出。