我看到很多 MOSFET 晶体管在 TO-220 封装中具有惊人的高连续电流。更神奇的是,开放阻力非常低。
例如,我想使用IRFB7545PbF N-MOSFET 晶体管。在数据表中,规定最大连续电流为67A,RdON 低于5,9mOhm。
我不相信,这是可能的。
在这种情况下,TO-220 封装的小腿将具有比几毫欧大得多的电阻,它会发热并脱焊。
我哪里错了?
我相信内部的半导体能够产生这样的电流,但我不相信 TO-220 封装可以提供......
我看到很多 MOSFET 晶体管在 TO-220 封装中具有惊人的高连续电流。更神奇的是,开放阻力非常低。
例如,我想使用IRFB7545PbF N-MOSFET 晶体管。在数据表中,规定最大连续电流为67A,RdON 低于5,9mOhm。
我不相信,这是可能的。
在这种情况下,TO-220 封装的小腿将具有比几毫欧大得多的电阻,它会发热并脱焊。
我哪里错了?
我相信内部的半导体能够产生这样的电流,但我不相信 TO-220 封装可以提供......
铅电阻不是问题。查看IRFB7545PBF 数据表。引线横截面约为 0.38 mm x 1.14 mm(最小值)。横截面积约为 0.5 mm\$^2\$。这相当于 20 ga 线,电阻约为 10 mΩ/ft。0.3 英寸的引线长度将产生 0.25 mΩ 的总电阻。当然,两条引线的总电阻为 0.5 mΩ(小于规定的 5.9 mΩ 的 10%)。封装的总功耗为 26 W (67 x 67 x .0059),这完全在 TO220 的限制范围内。
在此负载下,每根引线将耗散 1 W。对于在自由空气中长时间运行,这足以熔化引线,但这不是 TO220 的使用方式。引线将被焊接到带有很重迹线的 PC 板上(以避免电路板分层),这些迹线将用于将热量从引线中传导出去。
对于它的价值,数据表指定了 100°C 外壳温度下的 67 A 数字。
ETA - 根据irf.com 上的常见问题解答说明,TO220 封装的电流限制为 75 A,因此最初怀疑 TO220 无法处理高电流几乎是正确的。
通常,如果您仔细阅读,这些电流是在外壳温度(神奇地?)保持在 25C 时指定的。因此,如果您有办法冷却包装并将外壳保持在该温度,您将能够通过这些电流。你可以争辩说线索也是案件的一部分。
绝对不是真实世界的规格,但我认为 IR 开始了它,其他公司也效仿了,因此他们的 FET 看起来并不逊色。这些天没有人关注这个数字。