我已经读过是什么杀死了我的 MOSFET，这似乎与我的电路相似（我的次级也是中心抽头，并且有 2 个高速二极管整流成 10R / 400uF 负载）
变压器是 12:1，我的电源电压在 10v 和 25v 之间，大约 300mA。
由于我认为是雪崩击穿，晶体管正在加热。我使用了 50V 设备，示波器照片显示 ~200V 设备。在每种情况下，DS 电压都会响起直至击穿（如果电路中有足够的能量）。我想通过这个电路推动 10 瓦，最好是 100 瓦。我意识到面包板对于 100W 的设计是不可行的，但应该可以做到 10。
振铃频率为 2.x MHz。电源输入电容不是低 esr 或特别高的值。
这是因为中心抽头。只看变压器的左边部分。
你有两个串联的电感器。当您将一个电感器接地时，电流开始流动，而另一个（磁耦合）电感器将尝试感应相同的电流，将另一个晶体管的漏极电压推高直到它击穿。
如果您的电源电压为 25V，并且变压器（和开关）绝对完美，您会在 MOSFET 的漏极上看到 50V，这是事实。您的 MOSFET 的额定电压应至少为 100V。
想象一下初级的中心抽头就像跷跷板的支点；您将一侧拉到地面，然后神奇地（或不）另一侧上升到电源电压的两倍。初级的两半是强耦合的，这就是您使用耦合电感器（又名变压器）得到的结果，而与次级及其上的负载无关。
振铃是因为变压器不是完美的 - 不是通过中心抽头提供的每一点磁能都会被感应到开路绕组中 - 你有漏感，如果你能得到比 98 更好的环形线圈（例如）是好的% 耦合。
未耦合的 2% 仍然从电源获取能量，当变压器的那一侧开路时，它无处可去。它发现的是 MOSFET 的开路漏极电容，它会“振铃”，这种振铃也可能非常严重。
在更高的电压下评估您的晶体管，将 33V 齐纳二极管和二极管缓冲器应用到每个漏极的中心抽头（至少这样您可以窃取一点能量）。