有没有人提供激光钻孔微孔的电流承载能力的来源、公式或计算器?我还没有发现什么好东西。我敢肯定这也取决于电镀。铜填充、导电填充和开路或非导电填充之间有区别吗?
例如,我可能会使用 5mil 激光和 2-3mil 电介质和导电填充它们并平整。
哦,我确实问过我的供应商,但还没有回音...
编辑:我不认为这是一个过孔可以承载多少电流的副本,因为激光钻孔结构与钻孔不同。事实上,我在多个地方读到它们比传统通孔携带更多电流,所以我想看看是否有人有答案。
有没有人提供激光钻孔微孔的电流承载能力的来源、公式或计算器?我还没有发现什么好东西。我敢肯定这也取决于电镀。铜填充、导电填充和开路或非导电填充之间有区别吗?
例如,我可能会使用 5mil 激光和 2-3mil 电介质和导电填充它们并平整。
哦,我确实问过我的供应商,但还没有回音...
编辑:我不认为这是一个过孔可以承载多少电流的副本,因为激光钻孔结构与钻孔不同。事实上,我在多个地方读到它们比传统通孔携带更多电流,所以我想看看是否有人有答案。
如果这是一个关键应用,您应该对带有激光过孔的电路板进行采样,然后对其中的一些进行显微切片,并在 SEM 下检查横截面。还需要与您的电路板供应商讨论他们的工艺控制,以确保沉积厚度的一致性。
一个不太严格的测试,虽然可能是一个很好的补充测试,是构建一个带有样品过孔的电路板并在平面之间进行电流测试并测量电压降。应使用统计抽样来获得更可靠的结果。
ΔT 的载流量很大程度上取决于供应商的质量和尺寸公差、镀层厚度和成本。如果您只是通过更好的供应商拥有更多的电镀激光孔,那么导电填充现在是不必要的成本。 (但对其他人来说是必需的)甚至在垫子上打洞。(这增加了一天的周期时间)
没有成本、质量和数量的规格,就没有单一的答案。
对于成本、数量和质量的不同市场,至少有 5 组不同的供应商。
技术正在迅速从紫外曝光干膜转变为紫外光刻。选择具有成熟技术和经验的供应商,除非您正在挑战极限,否则不要成为测试版案例。
最好的是 Sierra Proto Express,他说……
当前微孔的标准纵横比为 0.75:1。(微孔直径应该大于它穿透到下一个相邻层的材料的高度。)
最初的几个微型设计有从 30 微米到焊盘的大圆角。随着时间的推移,事实证明这是不必要的;将走线直接布线到焊盘非常坚固可靠。额外的圆角刚刚被证明会增加图像写入时间和成本。
小通孔:微通孔的尺寸有物理限制。低于 50 微米(2 密耳)的电镀液将无法正确电镀孔壁,导致通孔质量不佳。我们的激光可以钻出小至 20 微米的孔,但我们不能电镀它们。层压板的厚度控制过孔的最小直径。
利用新的微电路设计技术而不是普通的印刷电路技术可以显着节省空间。
当今可用的典型 75 微米线宽的最佳间距约为 0.5 毫米,从而形成具有 75 微米线和 250 微米(10 密尔)焊盘的 75 微米(3 密耳)通孔。焊盘之间的间距为 225 微米(9 密耳),焊盘之间仅允许一条 75 微米的线,对于大多数商店来说,这个最低规格很难。
小通孔:微通孔的尺寸有物理限制。低于 50 微米(2 密耳)的电镀液将无法正确电镀孔壁,导致通孔质量不佳。我们的激光可以钻出小至 20 微米的孔,但我们不能电镀它们。层压板的厚度控制过孔的最小直径,电镀微孔的上限为 2:1。
例如,就电镀而言,三密耳的微通孔仅限于六密耳厚的层压板。我们的 Yag 激光器可以钻孔的深度也有限制。随着直径的减小,穿透层压板以获得清洁孔的能力也随之减小。三密耳的通孔在 FR4 中被限制为 4 到 5 密耳深度,在 HDI 应用中使用的无玻璃层压板中被限制为 6 到 7 密耳。所有关于微孔的事情都不一定是坏事。微孔可能无法像迹线那么小,但我们可以在锅中添加甜味剂,因为微孔周围的环形环可以明显更小。
当我们生产第一块微型 PCB 时,我们注意到的第一件事是过孔位于焊盘的死点。该设计使用了一个 9 mil 的焊盘和一个 3 mil 的过孔,这对于传统的印刷电路工程来说是紧密的。新的、更精确的激光制造方法将允许小至 5 mil 的焊盘和 3 mil 的通孔,从而节省了大量的电路板面积。
有几家公司进入微电子印刷电路;过去设计师无法获得的极细线现在将成为主流,旧的绝对最小线宽 75 微米(3 密耳)让位于 30 微米(1.2 密耳)或更小。
微电子印刷电路制造商无法使用标准的旧干膜、制版和蚀刻工艺来可靠地制作 75 微米以下的线路。光刻是生成这些非常细的线条和空间的首选方法。
Sierra Circuits 可以使用 Kapton 在激光孔上以 2:1 的比例实现小于 20 微米(0.8 密耳)的轨迹和间隙,以实现电介质/铜厚度比。 由于显而易见的原因,30 微米的极细线不能使用普通的一盎司铜。在 Sierra,我们使用 18 微米厚的铜制造了 25 微米线。
具有标准 1.4 mil 内部镀层(标准箔厚度)和 1:1 周长比的通孔是铜的 1 平方。
一个正方形的热阻为 70 摄氏度/瓦(如果热量可以从通孔顶部和通孔底部进入平面,则为 35 摄氏度)。
那一平方有 0.000498(称为 0.0005)毫欧电阻。
一个安培产生 0.5 毫瓦的热量 (I^2 * R)。
在 35 度/瓦时,温升为 17 毫度。在一个安培。
如果您的温升限制为 20 摄氏度,您可以通过该通道提供 1,000 安培的电流。如果上层和下层会带走热量。
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当 1,000 安培的电流汇聚到该通孔的外围时,就会产生热量。这是发生的事情