也许你想多了。

您显示的图表暗示有一个打开的门信号连接。R _g是为了确保在没有栅极信号的情况下，栅极具有到源极 (GND) 的直流路径。正如您所指出的，由于 FET 栅极阻抗实际上是无限的，因此这是必需的。

如果存在以地为参考的栅极信号，则不需要R _{g 。}

那么，为什么不直接用电线将栅极接地呢？

那么你将如何打开和关闭它？如果栅极永久连接到 0V，您将永远无法告诉该晶体管导通。

David Normal 已经讨论过下拉电阻的值。当 MOSFET 栅极没有其他输入时，Rg 确保它处于 0V，因此它不会导通。但是，您需要那里的电阻，因为您希望能够通过向栅极施加外部信号来告诉 MOSFET 打开来克服它的影响。

如果您将其直接连接到低电平，正如您在上面引用中所建议的那样，那么如果您向栅极施加电压，它将立即接地短路，并且您的 MOSFET 将永远无法打开。简而言之，Rg 将栅极“保持”在 0 伏（已知状态），直到您将其强制为高电平。中间没有。

带有浮动栅极的 MOSFET 可能会导致各种问题。由于其输入阻抗如此之高，因此栅极上的任何电压波动都可能导致其部分导通。这通常会导致更多的波动，并且 MOSFET 将开始振荡。显然，这会导致您的电路行为不正常，并且在某些情况下，会导致晶体管发热并可能造成永久性损坏。将 MOSFET（或其他高阻抗输入）的栅极保持在已知状态以消除此类行为的可能性至关重要。

除了下拉效应，Rg 在高速应用中可能还有其他用途。因为 MOSFET 的栅极实际上是一个电容器，所以如果您以高速开关，栅极将需要一些时间来放电并关闭晶体管。假设 MOSFET 是 2n7000，输入电容为 50 pF，电路中没有 Rg。栅极和地之间的阻抗可以是 50 MΩ。RC 延迟将是 R x C = [50x10^(-12)] x [50x10^(6)] = 2.5x10^(-3)，或 2.5 毫秒。如果您尝试以 100 kHz（10 微秒的周期）切换晶体管，则 MOSFET 将无法足够快地打开或关闭。连接在栅极和地之间的电阻器将显着加快栅极电容的放电速度，从而使您能够更快地打开和关闭 MOSFET。

就像晶体管（如集电极开路上拉电阻）一样，MOSFET 也仅在栅极引脚在任何点悬空时才需要上拉。当 MOSFET 栅极连接到电源或微控制器引脚时，栅极具有已知状态（高或低）。栅极有一个下拉电阻器 Rg 以使 MOSFET 栅极保持在已知状态也是一个好主意，在可能连接松动的情况下，这将使栅极保持在低电位。这将使 MOSFET 的 Rds 电阻保持在较低水平。万一出现任何故障并且栅极悬空，MOSFET 的 Rds 变高，MOSFET 变成一个美化的加热器。这是一个 N 型 MOSFET，它不需要电阻 Rs，尤其是当您连接电感负载（例如电机）时。当连接电阻负载时，Rs 开始发挥作用。

简而言之; 当输入源具有非常高的阻抗（即关闭）时，R _G提供了一个电流路径来对栅极放电，而当输入源为高时，它只能提供有限的电流。R _G的值是这两个要求之间的折衷；低到足以在短时间内使栅极放电，高到不会使源过载。

如果驱动器处于关闭状态（高阻抗）并且没有通往其他任何地方的路径，将输入和电路元件（在这种情况下为栅极）与任何直流电压电隔离，则它们被称为“浮动”。当组件浮动时，它会吸收静电荷或杂散场，这会产生虚假信号或损坏组件。

栅极的电容仅在高交流频率下才显着，因此会影响其开/关切换时间。它不会以任何其他方式影响 DC 行为。

电容耦合使信号通过电容器。它阻止任何净直流偏置是信号，但允许快速切换瞬态通过。