在 MOSFET 开关电路（PWM、电机控制等）的背景下，我读过“线性区域”的操作是您不希望长时间停留的地方，因为这里是 MOSFET 中大功率的地方。例如，这个答案：
您正在将 MOSFET 驱动到其线性（功耗）区域
或来自 International Rectifier 的此应用说明：
如果器件作为开关操作，驱动电路的大瞬态电流能力会减少在线性区域中花费的时间，从而降低开关损耗。
然而，维基百科提供了这些定义：
也就是说，\$V_{DS}\$ 以及 MOSFET 中的功率，在线性区域中比在有源模式下要小。因此，我认为现在是人们想要避免的活跃模式的时候了。当一个从关闭切换到打开时，一个从截止开始，尽快通过活动模式以最小化损耗，然后在线性区域结束。
但是，我无法将这与上面的示例相协调，这些示例讨论了最小化线性区域中的时间。哪里不一致？
您引用的答案中的“线性区域”使用有些松散。通常我们在电子产品中说“线性区域”或“线性操作”，当我们指的是中间操作时，电压保持在电源轨之间的某个位置（相对于钳位到其中一个附近）或像晶体管这样的设备是保持在未完全打开或完全关闭的中间区域。通常，设备在这个“线性区域”中并不是那么线性，但它是一个很久以前就存在的名称，线性区域与切换操作或裁剪区域相反。
正是在这个中间“线性”区域，设备将消耗大量功率。如果该器件是一个理想的开关，那么它在打开时因为电流为零而不能耗散功率，或者在闭合时因为电压为零而不能耗散功率。
在谈论 MOSFET 的器件物理特性或细节特性时，这与“线性区域”不同。那里的“线性”可以表示“施加电压的大致线性电流”，这也意味着 MOSFET 的作用就像一个电阻器，而更像是一个电流源。从整体电路的角度来看，这与“线性区域”不同。
是的，它依赖于上下文并且可能令人困惑。如果您需要精确，请使用实数。
不幸的是，当谈到 MOSFET 时，“线性区域”是使用最不一致的术语。根据作者的不同，它的意思可能正好相反。比较：
图片来自这个 appnote。
来自这本教科书，其中将左侧区域称为“线性区域”。
另请注意，JEDEC 已分别选择“欧姆区域”和“饱和区域”作为 MOSFET 标准术语的选择（如上图第一张所示）。这在“4-31”页的JESD77b中给出。他们避免称任何区域为“线性”。
在这种情况下，线性区域是指您不想在其中操作的区域，因为乘积 Id·Vds 很大，因此您有很多损失。您希望通过使晶体管完全打开或关闭来最小化晶体管的损耗。
两种状态之间的切换应该尽可能快，因为在那里会产生损失。
蓝色曲线下的面积是器件中耗散的能量。切换较慢会使区域更大。
如果您看一下典型的硬开关开启
或关闭
您可以看到一段时间内设备上同时存在高电压和高电流。更快地切换可以最大限度地减少在该区域花费的时间。
有一些方法可以通过使用零电压或零电流开关来最小化开关损耗。您必须设计转换器，使其仅在晶体管上的电压或电流接近零时才会切换。这样Id·Vds的功率积也接近于零。
显示能量的图表似乎以时间为轴。假设电阻负载（例如图 10 伏电源和 1 欧姆负载），绘制功率与电压降的关系图可能会有所帮助。当设备完全关闭时，零电流因此零功率。完全打开时，电压降非常低（例如 0.2 伏），因此功率也很低（9.8 安培，即 1.96 瓦）。当“半”亮时，显着的电压降（5 伏）和显着的电流（5 安培），因此功率很大（25 瓦）。