每个晶体管都有一个电流增益，通常$\beta$要么$h_{fe}$在数据表中。典型值约为 100。当晶体管未饱和时，基极电流和集电极电流与此因素相关：

$$I_c = h_{fe} I_b$$

当基极电流增加到集电极电流不能再增加的程度时，晶体管被称为饱和。集电极电流不能再增加，因为它不能允许更多的电流——电流完全由图中的 R1 限制，并且从发射极到集电极的电压最小。

当我们设计数字逻辑时，我们不想让晶体管勉强饱和。我们想让它们饱和很多。这提供了一些额外的余量，以防止变化$h_{fe}$，并且还考虑到更高的频率（快速高/低转换所必需的），$h_{fe}$有效减少。

经验法则：在数字逻辑中，集电极电流是基极电流的 15 倍。

所以在这里，你选择了一个 1kΩ 的集电极电阻。在饱和时，发射极-集电极电压远低于电源电压，因此我们可以将集电极电流估计为：

$$I_c = \frac{5\mathrm V}{1\mathrm k\Omega} = 5\mathrm{mA}$$

我们希望基极电流为 (0.33mA) 的 1/15，而基极电阻上的电压将是电源电压，比 Q1 的基极-发射极结低约 0.65V。所以：

$$R_2 = \frac{5\mathrm V - 0.65 \mathrm V}{0.33\mathrm{mA}} = 13 \mathrm k \Omega$$

您选择的 10kΩ 已经足够接近了。

您还可以按比例放大电阻值，保持基极与集电极电流之比，但总体上降低电流。这降低了您的功耗，但也降低了逻辑速度，因为较小的电流能够较慢地为寄生电容充电。这是您作为工程师必须做出的性能与功耗权衡。