因为 BJT 在其工作区域内的基极-发射极电压会受到基极-发射极电流的影响，反之亦然，因此给定晶体管的基极-发射极电压的变化将影响集电极-发射极电流。另一方面，影响给定集电极 - 发射极电流变化所需的基极 - 发射极电压变化量通常是巨大且不可预测的。它会随着温度、老化、月相等发生巨大变化。相比之下，在晶体管的“线性”工作区域内，基极-发射极电流加倍将使集电极-发射极电流大致加倍。不是绝对精确地翻倍，但非常接近。这种行为比基极-发射极电压和基极-集电极电流之间的关系更容易预测。

相比之下，FET 或 MOSFET 没有任何栅极电流，除了由泄漏或杂散电容引起的电流。这些电流并不完全为零，但制造商通常会尽量减少它们。因此，实际上不可能描述晶体管对不同栅极电流水平的响应。栅极-源极电压和漏极-源极电流之间的关系不像 BJT 中基极-发射极电流和集电极-发射极电流之间的关系那样可预测，但它仍然是一种最可预测的表征方式设备的操作（它比 BJT 上的可比关系更具可预测性和一致性）。

说法是错误的。两种器件都是电压控制的。双极晶体管的准确模型是Ebers-Moll方程。

注意 Ebers-Moll 方程中的自变量是：$V_{BE}$. 不是基电流！

BJT 是一种跨导器件，就像 JFET 一样。

BJT 放大电流的想法是近似模型的一个特征，可用于设计大多数简单的 BJT 电路。

BJT 的特定简化/理想化是当前器件，而不是真正的 BJT。它只是不那样工作。底座中根本没有一个小恶魔，它计算通过底座的电子，并分配$\beta$数倍的电子进入收集器。

在 BJT 中，发射极电流与基极电流成正比（这是 BJT 的值），而在 FET 中，源极/漏极电流与栅极电压hFE成正比。这在实践中意味着，如果您有一个电压源可以提供非常小的电流（例如您的手指，在您将脚拖过铺有地毯的房间以产生一些静电之后），您可以使用此信号来控制 FET，但不能控制 BJT。

用非常简单的话来说，不涉及数学：

通常，FET 的源极-漏极电流由来自栅极的非常小的电流控制。

BJT 需要更多电流，因为它的工作原理，集电极-发射极电流与来自基极的电流成正比。

两者都使用张力和电流，但 FET 的阻抗很高，它们需要控制的电流很低，你只需要在栅极上加一个张力即可进行控制。这就是为什么 FET 被认为是张力控制器件。