在计算单个 MOSFET 的栅极电阻时，首先我将电路建模为串联 RLC 电路。其中，R是要计算的栅极电阻。L是 mosfet 栅极和 mosfet 驱动器输出之间的走线电感。C是从 MOSFET 栅极看到的输入电容（给出为在 MOSFET 数据表中）。然后我计算R适当的阻尼比、上升时间和过冲的值。
当有多个 MOSFET 并联时，这些步骤是否会改变。我可以通过不为每个 mosfet 使用单独的栅极电阻来简化电路，还是建议为每个 mosfet 使用单独的栅极电阻？如果是，我可以C将每个mosfet的栅极电容之和作为吗？
特别是，我的目标是驱动一个由TK39N60XS1F-ND制成的 H 桥。每个分支将有两个并联的 mosfet（总共 8 个 mosfet）。mosfet 驱动器部分由两个UCC21225A组成。工作频率将在 50kHz 和 100kHz 之间。负载将是电感为 31.83mH 或更大的变压器的初级。
取决于，这取决于您的真实电路而不是您的预期电路
您的实际放置将产生类似这样的东西（会有一些其他的杂散电感，但现在就可以了）。
如果您在对门充电/放电时考虑电流，它将是
此循环是您需要保持平衡并在理想情况下最小化的循环。想象一下，如果由于布局/跟踪/布线不佳，右侧 FET 的源极在栅极和/或源极上的电感是 10 倍，它的开关速度会变慢，这意味着左侧 FET 将经历更多的瞬态响应。
在大功率器件中，他们在每个芯片上使用一个小的单独栅极电阻器，然后将所有器件并联起来，但它们保持布局非常紧凑，并且同样地，它们可以控制非常匹配器件的 MOSEFET/IGBT 批量特性。如果你不能这样做，那么最好有一个单独的栅极电阻。
共用基板上的并联 IGBT 裸片
单独的栅极电阻器的好处是，如果您需要根据其他观察调整一条腿的响应，您可以
由于 VGS(TH) 的变化，不建议共用一个电阻。使用单独的电阻器，FET 的开关将更加并发。
电阻器很便宜，所以我会说它不值得，但故障不会立即发生。如果两个 FET 具有相同的 Vgs，则通过 Rg 的峰值电流将加倍，这是电阻器不擅长的脉冲电流。
FET 的 Vgs 可能非常随机。如果 FET 具有不同的 Vgs，那么它们会以略微不同的电压开启，因此一个 FET 会减缓电压上升，同时吸收足够的电流以完全开启，然后电压再次开始上升，另一个 FET 将开启。首先打开的设备将在另一个设备打开之前自行导通。
请记住在电路中留出大量空间，因为 FET 上的电流共享不会完美。也不要依赖 FET 二极管，因为二极管共享电流非常可怕。
