有些稳压器的压差接近 0 mV。查看TPS73101第 6 页上的图 5，无电容、NMOS、150mA 低压降稳压器，具有反向电流保护功能。

另一个例子是LTC1844 - 150 mA、微功率、低噪声、VLDO 线性稳压器。

稳压器在如此低压差下的问题在于，在这些地区，它们的参数很糟糕（线路/负载调节和PSRR）。

至于是否有可能用运算放大器和分立 MOS 器件构建这样的稳压器 - 是的，这是可能的。您将不得不使用 PMOS 并注意稳定性（在这种配置中使反馈回路稳定并不容易）。

如果您想要一个超低 LDO，您需要一个具有极低输入至输出饱和电压的器件（即 FET），并通过某种方式使控制电压高于输入。

使用 BJT 将始终将您限制在饱和电压，而且您需要足够的基极电流以确保晶体管在必要时完全导通。此外，还必须考虑如果基极低于集电极 1V，则发射极必须低于 1V +。$V_{CE}$$V_{BE}$$V_{BE}$

如果您使用 N 沟道 FET 作为串联传输元件，则需要使栅极高于源极，以使 FET 完全导通。许多逻辑电平 FET 需要超过 1 伏特。FET需要的甚至更高。例如，如果将栅极连接到输入电压，您可以预期阈值电压将在 MOSFET 上下降，根据您的问题定义，使其成为“有损”LDO。$R_{DS(on)}$$V_{GS}$

使用 FET 的分立 LDO 和能够完全开启 MOSFET（即栅极电压高于输入电压）的驱动器将允许您制作一个仅具有串联损耗的 LDO，理论上。但是话又说回来，如果您已经有更高的电源轨可用，为什么不将其用作稳压器输入，而不必担心超低 LDO 呢？$R_{DS(on)}$

一些 LDO 使用外部 MOSFET：

http://www.micrel.com/page.do?page=/product-info/products/mic5156.shtml

我设计了一个使用 n 沟道 MOSFET 产生负电压的分立 LDO 线性稳压器电路。这是 22 年前的事，我在一本电子杂志上发表了这篇文章，专门为 13.8 伏的 SLA 电池充电。

数千以一种或另一种形式建造，我没有任何稳定性问题。这种老式的简单电路可以配置一个 p 沟道 FET 和较低的输出电压，而如今，这种压降将受到低 MOSFET 导通电阻的限制。SMD 零件意味着分立器件不是一种惩罚，所以我知道现在可以实现非常低的下降。