我在我祖父的效果器中发现了一张我认为是射频 GaAs FET 的照片。在这张照片标注日期（1975 年）时，他正在一家 GaAs FET 实验室工作。背面标有“300μm gate width on mesa”。
我相信它与1977 年提交的美国专利 US4160984A有关；他被列为发明人之一。
结构对我来说很陌生；栅极、源极和漏极在哪里？任何有关该结构的额外信息将不胜感激。
识别 GaAs FET 结构
电器工程
半导体
场效应管
2022-01-24 14:30:28
2个回答
根据我布置 GaAs 和 GaN HEMT 的经验，这是一个带注释的版本：
如果仔细观察，您可以看到两个栅极触点任一侧的栅极指剥落。我不知道哪一边是漏极，哪一边是源极，但如果它是对称器件，它们在物理上没有任何不同（例如，为开关应用设计的 FET）。我的猜测是虚线框是台面区域。
非常酷的照片和背景:)
在翻阅以他的名字命名的旧文件时，我惊讶和高兴地在他的一篇论文中发现了这个装置。（似乎有一些额外的焊盘或测试结构？在我的照片和纸上）
这证实了 Shamtam 的出色回答。
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