如果您需要直流操作，您应该真正使用在其安全工作区域内具有直流额定值的 MOSFET。

没有 DC 曲线的 MOSFET 在用于 DC 应用时可能会遭受热失控，并且仅用于或指定用于开关应用。可能会出现内部局部热点，并且 MOSFET 可能会失效（“Spirito 效应”）。

原因是温度升高时栅源阈值电压下降，通常在栅源电压较低时。这个问题的细节通常不会在数据表中指定，因此唯一的指标通常是具有或不具有 DC 曲线的 SOA 图。MOSFET 数据表中的图 3看起来热 V _GS交叉点略低于 4 V。在我看来，当您将这种特定 MO​​SFET 与只能提供 5 V 的驱动器一起使用时，您处于危险的一面。对于最坏的情况，请考虑您的电源处于低端 (4.5 V)，并为驱动级留出一些电压降。比您希望的更快，您最终会达到 3.5 V 左右。

请注意，绝对最大额定值（在 25 或 100 °C 时分别为 25 或 18 A）是在 10 V 的栅源电压下指定的，此时您的 MOSFET 完全导通。它们不适用于较低的栅源电压。

更多关于这里的背景：https ://electronics.stackexchange.com/a/36625/930

看看固态光电的产品。 http://www.ssousa.com/home.asp 我们正在使用的那些（SDM4101、SDM4102）内置了一个光隔离器，但它们只有 3.4A。我即将开始测试配置 2 并行以获得更大的电流容量。Mosfet 的热特性意味着电阻随着温度的增加而增加，因此如果一个开始吸收更多电流，它会变热，增加电阻，更多电流将流过它的双胞胎。或者理论是这样的！

他们提到最大漏极电流在 100 摄氏度时连续为 18A。如果您的原始继电器从未看到超过 5A 的连续电流，那么您会没事的。

要回答您的问题：查看连续评级。它位于第一页的顶部，并且作为绝对最大值被列为第一个电气特性之一。稍后，它位于第 2 页末尾的源漏特性表中。

重要的是要做你所做的并评估功耗 (RDSon * I^2) 这看起来像一个合理的 FET。在 DPAK 中，我想您会将其焊接到 PCB 上进行散热。

绝对最大值部分的数字涵盖了直流连续运行。SOA 曲线显示您可以在短时间内超过这些额定值，但如果您将外壳保持在 100C 以下，则可以连续使用 18 安培。

只需估计 I^2 Rds_on 的功率。但请记住，Rds_on 会随着温度的升高而增加，我通常允许 Rds_on 增加 50%。