图 3 来自1N4148数据表。

• 二极管的漏电流非常小。在 3 V 时，这将介于 3.5 和 10 nA 之间。
• 2N7000的门体漏电流，正向最大 -10 nA。
• 该二极管还具有大约 4 pF 的电容。当电源电压在上电时从零跃升至 +3 V 时，二极管电容将导致 M4 的栅极也跃升。

在大多数电子产品中，您关心的电压效应是电流。当设备阻断电流时，它使电压无关紧要，节省静电效应。

所示电路中的问题是它实质上使未屏蔽的 MOSFET 栅极浮动（没有电流路径进出它）。浮动 MOSFET 栅极几乎总是设计错误，导致不确定的行为。

阻断电压的想法是无稽之谈。您需要从“电阻”和分压器的角度来考虑问题（我在“电阻”周围加上引号，因为它不是反应性的，但它是严重非线性的）。由于晶体管是 MOSFET，它的栅极电阻比反向二极管提供的电阻高得多（由于漏电流），并且由二极管 D3 和 M4 栅极制成的分压器几乎将所有电压传输到栅极。

所以解决方案很简单：只需在 M4 的栅极和机箱接地之间放置一个高阻值电阻即可。

让我们看看“有电压”的实际含义：

电路两点之间存在电压意味着我们用该值测量电势差$U$. 所以，如果在这些点之间有一条导电路径$R<\infty$会有电流流过$U=RI$. 存在电位差 ($U$) 并不意味着任何电子都可以从 A 到 B，但一个点会接受另一个点的“剩余”。

理论上，二极管是$R=\infty$以一种方式和$R=0$在另一个。然而，这些近似值在现实中并不正确。这会导致小电流“反向”流过二极管。