我成功地使用以下电路作为逻辑电平转换器 1.8 V --> 5V，频率高达几兆赫兹。
我使用的 FET 是 BSN10A。

BS170 在这里不能很好地工作，因为它的阈值电压（即当它开始开启时）通常为 2.1V，高于 1.8V。
因此，您可以使用具有较低阈值电压的 FET，但我可能只是为此使用 NPN。

这样的事情应该没问题：

请注意，上面的示意图将反转集电极处的逻辑电平 et *0*V@PIN -> +V。如果您能找到更好的 FET，那么您可以使用上述电路，但将 NPN 换成 N 沟道 FET。在这种情况下，基极/栅极电阻不是必需的，但它不会造成任何伤害，前提是您不需要以非常高的速度进行切换（此特殊解决方案适用于低速）
电阻值不太重要，R3是限制电流流入晶体管的基极，R2 设置通过晶体管的电流。
如果我们假设晶体管的增益约为 100，那么如果您想减少从引脚汲取的电流（例如，需要具有功率意识的电池供电设备），您可以使用 R3 远高于 1k（可能高达大约最大 15k），因为底座至少需要 5mA / 100 = 50uA 才能工作（5mA 来自 5V / 1k (R2) ）

如果需要更高速的开关，最好使用电平转换 IC。这是一个Maxim 页面，其中提到了一些高速电平转换 IC。

我会投票支持公共汽车开关。这就像在 Curd 的回答中使用电路，但使用为此目的优化的小型 MOSFET（低 Vds 击穿、低寄生电容、低栅极电阻）。

为此，我们使用了 Fairchild NC7SZ384；其他制造商也制造它们。