制造商说它在“智能手机”和“负载开关”中很有用。缺少任何匹配的规范往往表明它仅用于切换。

可能是连接到多个电源轨的负载的低侧开关。

我没有考虑更新的设计，但快速开关并联 FET 的问题是米勒电容会随 Vgs(th) 变化，例如 2~4V，当负载切换时，电流共享可能导致过热或更差的直通具有互补驱动器和不足的死区时间。

然而，当在同一个芯片内时，它们往往非常匹配。这些芯片在测试负载下也是 1ns 下降时间和 1.2ns 上升时间，您可以考虑将它们用于半桥中 Pch、Nch 的电平转换互补驱动器，该驱动器使用 <1A，几乎没有直通死区和精心挑选的输出级。必须正确设计布局和负载偏移，以在 >1MHz SMPS 中实现这一点。

然后使用第 3 个进行逻辑电平反馈。

• 或使用 3 的任意组合来驱动每个标称 1/4 欧姆电阻的快速负载。

• 如果您需要在 1ns 内将低压侧的多个总线负载钳位到 0V，出于某种奇怪的原因，这些可以完成工作。

您可以考虑将这些用于具有低功率不同电压齐纳负载的多电压升压反激式发电机。