当您的文章（错误地）这样说时：-

最好采用饱和区的 MOSFET 使其作为开关工作。

这是因为它是由认为 BJT 特性的等效部分的名称可以 100% 转移到 MOSFET 的人编写的。

要清除这一点： -

• 当 MOSFET 作为导通开关工作时，它工作在三极管或欧姆区
• 当 MOSFET 作为关断开关工作时，它工作在截止区域
• 当 MOSFET 作为受控电流器件运行时，它工作在饱和区
• “饱和”是指通道饱和

• 当 BJT 作为开关操作时，它工作在饱和区和截止区
• 在 BJT 的情况下，“饱和”是指基极的饱和，因为 PN 或 NP 结都（有点）导电

我应该在（线性/欧姆/三极管）或饱和区域中操作 MOSFET 以“打开”吗？

答：线性/欧姆/三极管区域

如果您想使用 MOSFET 作为开关，您可能需要低 V _DS，因为理想的开关在端子之间没有电压降，但它可以有无限电流通过它。

因此，根据 MOSFET 的特性曲线，您必须在线性区域内工作。如您所见，如果您需要 10 A（假设刻度以安培为单位），则增加 V _{GS时 V DS}会更低。

您的困惑可能来自这样一个事实，即对于双极过境者，不同区域的名称并不相同：

所以如果你使用双极晶体管作为开关，你应该在饱和区使用它。

MOSFET 晶体管可用作三极管和饱和区的导通开关，但它给我们带来了不同的优势。

在饱和状态下，可以获得较大的电流，但在三极管中，由于其电阻较低，可以实现较低的损耗。

通常在数字电路设计中，三极管区域比较常见。

无论是mosfet、fet还是双极，为了开关目的，它只有一个定义：它处于饱和状态或截止状态。饱和度是设备上的最小电压和最大电流。在关断或开路状态下，器件两端都有电压，但电流可以忽略不计。在这种开关模式下，在上述两种情况下，器件中的耗散都是最小的，并且最大功率受到控制。为确保饱和，您可能必须在限制范围内过驱动和类似的欠驱动，甚至负驱动设备以确保完全截止。按照数据表进行操作，不要过度使用。这些器件在有源区域或线性区域中使用的唯一一次是在放大器中（甚至不是全部）。

引入“三极管模式”是没有意义的。更何况，谁说三极管没有截止和饱和？有时想描述实物图时用“英文”比较好，但是没有cmos语言、triode语言等。常识不依赖于语言。工程学并不排除常识。