我正在尝试使用 IR21844 mosfet 驱动器构建半桥，我已阅读数据表和设计技巧以及本论坛中的一些主题。我仍然无法得到的一件事是逻辑和电源之间的单独 GND 引脚。
我引用了一篇文章：“IR21844 有两个不同的接地，一个用于逻辑接地，一个用于电源接地。假设它们可以浮动 5 伏，从而在逻辑和电源之间提供某种表面上的隔离。”
我还通过查看名为 Vs undershoot 的设计技巧 97-3 第 2 页第 4 段确认了这一点。 设计技巧 97-3
我知道 2 个引脚 Vss 和 Com 应该连接（因为这是一个非隔离驱动器）但是如何以及在哪里？
我现在的建议是不要将它们连接到 IC 下方的 PCB 上，而是将 Vss 引脚连接到微控制器逻辑 GND 和 Com 引脚以降低 Mosfet 源并让 2 个 GND 在电池处相遇。
我附上了我的示例电路原理图，该原理图已被最大程度地简化以仅显示必要的项目，如果我错了，请提供您的见解并纠正我。
我也怀疑引脚 7 (15v) 和引脚 3 (Vss) 之间是否需要电容器，如数据表所示，但未解释。
提前致谢
我在这里回答了一个与此非常相似的问题（如何为德州仪器 TPS63060 IC 设计正确的接地层分离？），但我会在这里为您调整答复。
IRF 要求您将这些接地“分开”，因为它们不希望（例如）5A 电流流过输出开关/级来干扰 IC 用于其小信号控制环路的接地参考.
假设您的接地层/铜的电阻为 0.010 欧姆（对于铜层来说高得愚蠢）。在降压转换器中，假设您的底部同步开关打开，电流现在流过那里的蓝色箭头。有了平面的电阻（这里不考虑电感），欧姆定律告诉我们会出现 50mV 的压降。连接到靠近电流流动路径的接地层的附近组件的接地会受到电流的干扰（旁注：设计人员可以做的最简单的事情之一就是简单地将敏感电路与高功率区域物理分离）。
红线代表底部晶体管开启时的电流。如果这个晶体管切换 5-10A（如上面建议的那样），你会看到你的 GND 平面上的电压降，特别是在那个晶体管附近。
为什么这很重要？
我圈出的电路的绿色部分是该部分的内部栅极驱动器。它在生活中的目的是把IN处的逻辑电平输入信号，变成一个可以驱动外部MOSFET的信号。由于这是低端，它不需要电荷泵或任何花哨的东西。
但是，请查看该部分的地面和蓝色箭头。这代表了当您的驱动器试图关闭底部 MOSFET 时的电流路径。回想一下，MOSFET 由 VGS 或栅源电压控制。当该电压高于某个阈值时，晶体管导通。当它低于它时，晶体管应该关闭。该驱动器试图尽可能快且干净地实现这一点，以避免诸如米勒效应引起的开启等不必要的影响。
低端 MOSFET 的源极是“电源”GND，它将看到高电流。可以这么说，您希望您的驱动器“骑上野马”，这样当它试图将 VGS 驱动为 0 时，它会将 MOSFET 栅极驱动到与其 MOSFET 源极相同的电位。如果它被引用到与源电位不同的 GND 节点（例如芯片另一侧的 GND），您实际上可能最终得到一个 -/+ 几百毫伏的 VGS（关闭时） ，而不是 0V。
所以，你真正想做的是以最直接的方式将 COM 引脚纯粹连接到 MOSFET 的源极——不要直接连接到 GND 平面。您希望电流从 MOSFET 源节点（“电源 GND”）流入 COM 节点。
最后再来看看VSS节点：
这是输入 PWM 信号的逻辑电平参考——足够简单。施密特触发器将使用此节点作为比较来查看您是否满足 VIH/VIL 要求，以及您是否希望将“1”或“0”输入驱动程序。理想情况下，这与微处理器/驱动该芯片的任何东西具有相同的潜力。
所以，总结一下：
所以你的COM连接是正确的，IMO。