我正在构建一个包含锂聚合物电池和电池充电芯片的电路。我确实了解芯片的工作原理，但并不真正了解如何在电池充电时将系统负载切换到正常电源。
数据表提供了下图，我认为它有效：
（来源：Microchip 参考设计 DS51746A第 1.1 节）
唯一的问题是我真的不知道为什么它应该工作。我很想了解它为什么起作用。我猜想一旦 V in很高，它就会关闭从锂离子电池到系统负载的栅极 (Q1)。电流从 V in直接通过 D1 流向系统负载。但我真的不明白为什么它会关闭第一季度。如果有人能简要解释一下当 V in为高电平和低电平时 Q1、R pull和 D1会发生什么，那就太好了。
MCP73833的工作原理如下：当 V in为高电平时，V bat将为高电平并对锂离子电池充电。（V bat会略低于 V in）。一旦 Vin 变低，V bat (9,10) 就会变低并停止充电。
Q1 是一个 p 沟道 MOSFET。这是其端子标记的示意图（G = 栅极，D = 漏极，S = 源极）：
当其栅极和源极之间的电压或 Vgs 超过阈值电压 Vth 时，MOSFET 开启（允许电流流动）。对于 P 沟道 MOSFET，Vth 为负，这意味着栅极必须比源极低一些量才能使 MOSFET 导通。
当 Vin 为高电平时，电流通过二极管 D1 流向负载，使源电压接近 Vin（减去二极管压降）。由于栅极直接连接到 Vin，这意味着 Vgs 略微为正，而 Q1 保持关闭。
当 Vin 为低电平时，Rpull（下拉电阻）将栅极拉至地。但是等等，如果源极需要比栅极更高的电压，Q1 如何开启？为了在源极上出现电压，Q1 需要开启？
好吧，在 MOSFET 符号的底部有一个小二极管；这代表体二极管（有时称为寄生二极管），它基本上是 MOSFET 制造方式的产物。体二极管的存在意味着即使在 MOSFET 关闭的情况下，它也只会阻止电流从源极流向漏极；它仍然允许电流从漏极流向源极。在这里，这是一件好事：体二极管允许来自电池的电流从漏极流向源极，使源极接近电池电压，并产生负 Vgs 电压差，使 MOSFET 完全开启。
Q1 和 D1 的目的是确保电流仅从 Vin 流向负载或从电池流向负载，防止从 Vin 到电池的反向电流，反之亦然。用另一个二极管替换 Q1 将完成几乎相同的事情：
MOSFET 的优势在于，当它开启时，与二极管相比，其两端的电压降较小。更少的压降意味着更少的电力浪费，这在您使用电池为负载供电时尤其重要。