维基百科有几张 MOSFET 和各种类型的图片。这是一个。
注意源头和身体是相连的。我知道这是为了确保它们之间没有正向偏压或反向偏压。
我不明白的是，身体连接存在的那个“P+”区域是什么？它是什么，它的目的是什么？如果它是一个掺杂度更高的 p 区，那么我不明白为什么。
在 MOSFET 中，图中的 P+ 区域是什么意思？
电器工程
晶体管
场效应管
2022-02-05 08:06:01
1个回答
在半导体中，您通常不能与轻掺杂区域（如此处的 p 衬底或体）建立电阻（欧姆）接触。这样的触点可能具有很高的电阻，或者充当肖特基二极管。
因此（就像漏极中的 N+ 一样），为金属触点制造了非常重的 P+ 扩散。这会在金属和半导体之间产生简并（即金属或导电）结，从而为主体提供良好的电接触。
这样做的第二个优点是 P+ 体和 N+ 源可以非常接近。将这些短路电阻连接起来的低电阻使 FET 在高 VDS 电压期间更加稳健。
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