你有一个奢侈问题：有成千上万的 FET 适合你的工作。

1）逻辑电平。你有 5 V，关闭时可能低于 200 mV 左右。您需要的是，这是栅极的阈值电压，FET 开始导通。它是针对特定电流给出的，您也需要密切关注，因为不同的 FET 可能会有所不同。对您有用的是最大 3 V @ 250 µA，例如FDC855N。在 200 mV（或更低）时，泄漏电流会远低于此值。 $V_{GS(th)}$

2) 最大连续。6.1 A. 好的。$I_D$

3)图： $I_D / V_{DS}$

这又是 FDC855N 的。它显示了 FET 在给定栅极电压下会吸收的电流。您可以看到 3.5 V 栅极电压为 8 A，这对您的应用来说是可以的。

4)。导通电阻决定了功耗。对于 FDC855N，在 4.5 V 栅极电压下最大 36 mΩ，在 5 V 下会小一些。在 500 mA 时，这将导致 9 mW 耗散。这已经足够好了。您可以找到具有更好数字的 FET，但实际上没有必要为它们支付额外的价格。$R_{DS(ON)}$

5)。最大漏源电压。FDC855N 为 30 V，因此适用于您的 12 V 应用。$V_{DS}$

6) 包装。您可能需要 PTH 封装或 SMT。FDC885N 采用非常小的 SuperSOT-6 封装，考虑到低功耗，这没问题。

所以 FDC855N 会做得很好。如果您愿意，可以查看 Digikey 的产品。他们有出色的选择工具，现在您知道要注意的参数了。

您需要一个在 5V 输入下完全开启的 MOSFET，要寻找的规格是 Vth（阈值电压）
请注意，这个数字只是开启的开始，因此漏源电流仍然非常低（通常您会看到 Vds = 1uA 或类似的条件）

因此，如果您的 Vth 为 2V，您可能希望在 4V 左右将其开启 - 数据表将有一个 Vg 与 Id/Vds 图表来显示 MOSFET 在不同栅极电压下会开启多少。
Rds 是漏源电阻，它可以告诉你 MOSFET 会消耗多少功率（例如 Id^2 * Rds）

您还需要对最大漏源电压和漏源电流（Vds 和 Id）进行额定，在您的情况下为 500mA 和 12V。所以像 Vds >= 20V 和 Id >= 1A 之类的就可以了。