将仪表设置为低欧姆范围，以便可以看到二极管导通 - 试错法或二极管测试（如果可用）。

• 对于 NPN 晶体管，基极将有两个背对它的二极管。即，在底座上的大多数正极仪表引线，当负极引线放在它们上面时，其他两条引线将显示一个导电二极管

• 对于 PNP 晶体管，基极将有两个面向它的二极管。即在底座上的大多数正极负极（通常是黑色）仪表引线，当正极引线放在它们上面时，其他两条引线将显示一个导电二极管

好的 - 现在您从 PNP 知道 NPN，它是基础。现在

• 将正极连接到 NPN 的猜测集电极，将负极连接到猜测发射极。将仪表设置为 1 兆欧加量程。

  - 通过一个高阻值电阻将基座连接到猜测的集电极 - 可能是 100k 到 1M。湿手指效果很好。注意阅读。

  • 现在交换猜测的发射器和收集器并重复。再次将电阻从基极添加到猜测的集电极。笔记阅读

当碱基正向偏置时，上述两个之一的 R_CE 读数会低得多。这是正确的猜测。

一旦你习惯了这一点，你就可以拿起一个带引线的晶体管，用仪表引线把它弄乱，直到你找到两个二极管给基极和 NPN 或 PNP 然后舔你的手指并做一个正向偏置基极测试 - 然后宣布引脚排列。对许多人来说，这就像魔术。作品。

您可以或当然可以在面包板上将其正式化，甚至添加（喘气）开关以交换极性等。

请注意，一旦您学会校准湿手指，您就可以了解 Beta（当前增益 _）。

最简单的方法甚至不需要万用表：

下载数据表并查看引脚图。

适用于 NPN+PNP 双极晶体管和 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 的有用信息（补充其他答案）：

• 当您面对晶体管封装的平坦部分并且引线指向下方时，TO92 晶体管几乎总是被固定为 EBC（双极）/SGD（MOSFET）。

• 当您面对晶体管的前部（背面的标签）并且引线指向下方时，TO220/TO247/DPAK/D2PAK 晶体管几乎总是作为 BCE（双极）/GDS（MOSFET）引脚输出。这很容易通过助记符 GDS = Gosh Darn Son-of-a-gun 记住。（或类似的东西。 ：-）

• 带有金属接头的晶体管（TO220、TO247、DPAK、D2PAK、SOT-223 等）几乎总是将接头用作集电极或漏极。这与设备的构造有关，而不是任何形式的约定；集电极/漏极是裸片中与金属片热耦合程度最高的部分，因此它是电气连接的自然点。

• 表面贴装晶体管在一侧具有两个引脚，而在另一侧具有单独的第三个引脚（SOT-23、SOT-323）几乎总是具有单独的集电极/漏极。这是因为栅极-源极/基极-发射极电压差很小，而集电极/漏极可能相差数十或数百伏，因此它为该电压差提供了更大的间隙，以使集电极/漏极自行关闭. DPAK / D2PAK 晶体管也是如此，中间引脚被剪短并悬空；这样做是为了提供电压间隙，并且您通过标签通过集电极/漏极进行电气连接，该标签（通常）与中心引脚相同的金属片。

我想有些晶体管部件是这些规则的例外（最有可能在 SOT-23 和 SOT-323 封装中），但我不知道任何——仍然，总是检查数据表。

最简单的方法是测量 BC 和 BE 结之间的正向电压，BC 结将具有较低的正向电压。如果您使用普通的数字万用表 (DMM)，与我的 2n5551 具有相似的测试电流给我这个结果： Vbc=642mV Vbe=648mV 如果我尝试电阻范围 Rbc=23Mohm Rbe=29Mohm 对于模拟万用表测试电流是与数字电阻相比略高一点，因此您可以期待更低的电阻值（100K-1M），并且这样做是高度非线性的，但 BC 结的相对正向电压较低（转换为 BC 结的相对电阻较低）与BE结相比...