在 MOSFET 的属性中，Digi-Key 列出了几种不同的电压。我想我了解它们中的大多数是什么，但有一个我不明白：“驱动电压”。
我们以这个 P 沟道 MOSFET为例：
因此，有“漏源电压”，即 100V，这是 MOSFET 可以切换的最大电压。
有“Vgs(th)”，即 4V，即栅极电压必须改变多少才能使 MOSFET 切换。
有“Vgs（Max）”，即±20V，我猜这是可以施加到栅极的最大电压。
然后是“驱动电压”，即 10V。这是我不明白的一个。这是什么意思？
什么是 MOSFET 的“驱动电压”？
电器工程
场效应管
2022-01-28 15:27:28
3个回答
真正的 MOSFET 并不是完美的器件，它们不会简单地通过施加的栅源电压打开或关闭。通过源极到漏极的“导通”电流量是施加的 GS 电压的函数。这是一个陡峭的函数，但仍然是一个连续的函数。这是来自教程的这种依赖关系的示例：
MOSFET 的数据表试图通过提供“角”点来简化此功能参数。
V"th" 电压是漏极电流几乎无法测量的电压，在 OP 情况下为 250 uA，发生在 4 V 时。
“驱动电压”（列为 10V）是 MOSFET 以全规格导通时的电压，可提供 8.4 A 电流，且规定的 Rds(on) 电阻小于 0.2 欧姆。
为了补充 Stefan Wyss 在他的回答中正确所说的内容，我将为您提供该参数的基本原理。
功率 MOSFET 通常用于开关，这就是低 R DS(on)在开关应用中很重要的原因。知道在什么电压下可以达到 R DS(on)是一个重要参数，因为您无需查看数据表中的曲线即可立即判断您的电路是否可以驱动该 MOSFET 完全导通。
例如，如果您需要切换 R DS(on)不超过 10 mΩ 的 10A 负载，您可以搜索这些参数。但是，如果 R DS(on)只能在 10V 下实现，而您只有一个 5V 供电的 MCU，没有其他电源轨，那么您知道 MOSFET 不合适（或者需要额外的电路来驱动）。
驱动电压是栅源电压 Vgs，其中静态漏源导通电阻 RDS_ON 在数据表中指定，通常为 25°C。
在链接的数据表中，RDS_ON 被指定为 0.2Ohms max。（在 Vgs = -10V 时）。
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