我设计了一个 PCB（用作原型构建块），它有一个 IR2113 高侧和低侧栅极驱动器，驱动两个 IRF3205（55V、8mΩ、110A）半桥配置的功率 MOSFET：
在带负载测试电路时，我发现虽然低侧开关非常干净，但每次高侧打开时，半桥 (X1-2) 的输出端都会出现很多振铃。调整输入波形死区时间设置，甚至移除负载（串联功率电阻的电感器，模拟从 X1-2 连接到 X1-3 的同步降压转换器）并没有减少这种振铃。下面的测量是在没有连接负载的情况下进行的（X1-2 上没有任何东西，除了示波器探头）。
显然寄生电感和电容足以导致这种情况，但我无法弄清楚为什么低端工作得这么好。对我来说，两个栅极驱动波形看起来都足够干净，电压以相当快的速度转变 MOSFET 的阈值电压。切换时不存在射槽。问题的可能原因是什么，我可以采取哪些措施来减轻症状？
我知道这里和其他网站上有许多非常相似的问题，但我发现发布的答案对我的特定问题没有帮助。
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虽然输入端（X1-1 到 X1-3）有一个 2200uF 电解电容来抑制瞬变和噪声，但它显然无法抑制任何高频。添加一个 100nF 电容器（如 Andy aka 的回答中所建议的）与电解电容器并联将输出端的振铃（X1-2 到地）减少了一半，而电源（X1-1 到地）的振铃减少了一个因素10 个。
