12V 和 6A 是一个很好的起点。这告诉我您需要一个最大漏源电压能力大于 12V 的 MOSFET,因此 20V 将是最低标准。
您想要切换 6A 并且您希望它以最小的电压降来执行此操作 - 就像继电器触点一样,因此您正在寻找低于(例如)0.1 欧姆的 Rds(on)。这意味着在 6A 时,它将在器件上产生 0.6V(欧姆定律)的小电压。
但是,这将产生 6 x 6 x 0.1 W = 3.6W 的功耗,因此,如果您正在寻找表面贴装设备,您可能希望功耗更低,最大可能为 0.5W。
这意味着 Rds(on) 将更像 0.014 欧姆。
到目前为止,您的应用需要一个 20V 晶体管,能够切换 6A,导通电阻不超过 0.014 欧姆。
Vgs“就像”继电器上的线圈电压 - 这是您需要向线圈施加多少电压才能使其切换但对于 FET,它是线性的,如果您没有施加足够的电压,mosfet 将不能正确打开 - 它的导通电阻会太高,它会在负载下变热,并且当你想要一个不错的低电阻时,它会有一两伏特。
然后,您需要检查规范的详细信息,以了解需要应用多少才能保证所需的低导通电阻。再往下说一点。
IRFZ44N 在数据表的首页上有: -
Vdss = 55V,Rds(on) = 17.5 毫欧,Id = 49A
它不是表面贴装设备,因此产生的热量不会太大(带有散热器),因此它会做您想做的事情,但我会研究具有较小 Vds 的设备(例如 20V)你可能会发现一个电阻远小于 10 毫欧的产品。
如果您查看第 2 页上的电气特性,您会发现 17.5 毫欧的导通电阻需要栅极上的 10V 驱动电压(表中的第 3 行)。低于这个驱动电平,导通电阻会随着产生的热量而上升。
在这一点上,我无法再为您做出决定,但我认为您可能正在寻找一种可以从逻辑级别运行的设备。在这种情况下,IRFZ44N 就不行了。
STB36NF06L 的导通电阻略高一些,但规格确实表明它可以通过栅极上的 5V 驱动器工作 - 请参阅电气特性 (ON),但我仍然很想找到一个更合适的。
我会被这个诱惑的。当栅极电压为 4.5V 时,PH2520U 是 20V、100A、2.7 毫欧的器件。如果您的逻辑电平是 3V3,请检查图 9 以查看它在 3V3 下是否可以正常工作。
最后一个想法是 - 你想要对负载进行 PWM,如果频率很高,你会发现栅极电容需要一些驱动电流进入栅极以使其快速上下移动。有时最好权衡导通电阻以找到具有较低 Vgs 电容的器件。你现在从事马交易。保持尽可能低的开关频率,它应该可以从 5V 逻辑引脚驱动。