有时...

假设兴趣点是功率 MOSFET，而不是小信号 MOSFET 和硅（与 SiC、GaN 相对）

要检查的第一个特性是输出电压。对于功率器件，它们应为 0V 至 12-15V (acpl-312T)，以满足 4V 左右的栅极阈值（并且如果米勒导通是一个问题，则能够驱动至 -15V）。因此，驱动 IGBT 的 MOSFET 驱动器和同样驱动 MOSFET 的 IGBT 驱动器应该没问题。

下一个特性是峰值电流。IGBT 将具有显着更大的栅极电容，因此需要更高的峰值电流以确保器件尽快饱和。与此相反的是 MOSFET 可以更快地切换，因此驱动 MOSFET 的 rms 电流需求可能更高。

更高的电流或更高的开关频率会影响驱动器的功率能力。

合适的 IGBT 栅极驱动器

你问题的关键是“合适”。

简短的回答是可以。

IGBT 将用于控制输入的隔离栅 FET 和作为开关的双极功率晶体管组合在单个器件中（维基百科）。

您的问题已经包含适当的考虑因素，“阈值、平台和开启电压额定值、栅极电容等”

请注意，某些 IGBT 驱动器还包括负关断电压（用于更快的开关）

以下，取自国际整流器

本质上，MOSFET 和 IGBT 都不需要栅极上的负偏压。在关断时将栅极电压设置为零可确保正常工作，并实际上提供相对于器件阈值电压的负偏压。与双极晶体管相比，负栅极偏置不会显着影响开关速度。但是，在某些情况下需要负栅极驱动：

• 半导体制造商指定器件的负栅极偏压
• 当栅极电压由于电路中产生的噪声而不能安全地保持在阈值电压以下时。尽管将参考 IGBT，但所包含的信息同样适用于功率 MOSFET。