对于 N 沟道 MOSFET，电流从漏极切换到源极。但是 P 沟道 MOSFET 以相反的方式工作 - 在 P 沟道 MOSFET 中，电流从源极切换到漏极。请参阅IRF 的此应用说明。此外，功率 MOSFET 中集成体二极管的阳极连接到 N 沟道的源极，但连接到 P 沟道的漏极。请参阅此摘录。

基本上，当您将正电压连接到负载，并且想要打开和关闭它时，请在负端子和地之间使用 N 沟道 MOSFET。通过施加使晶体管饱和的正电压（功率 MOSFET 为 10-12，逻辑电平为 3-5V），允许电流流动。通过将门拉到源头来关闭它。

当您有一个负端子接地的负载（这通常是可取的；如果可能的话，不要接地！），并且想要施加或移除正电压，请使用 P 沟道 MOSFET。将其栅极拉到源极（连接到 V+）以将其关闭，或将其拉至地（如果您的逻辑信号小于 V+，则通过集电极开路输出）以将其打开（因此 Vg 为 0，并且 Vs 是 12V，因此 Vgs 是 -12V）。

耗尽型 MOSFET 不太常见，通常仅在 N 沟道中可用。对于 N 沟道耗尽模式，必须将栅极拉到源极下方（通常接地）。除非您需要一些奇怪的东西，否则对于大多数切换应用程序都坚持使用增强模式。

此示意图显示了两种（增强模式）配置：

要识别源极和漏极，请查看箭头所连接的一侧。这就是源头。如果您有一个物理组件，则仪表上的二极管测试对于查找开关电流方向（将正电压施加到二极管测试识别为负的端子）和基本测试（不保证）都是有用的晶体管没有烧毁。要区分 N 通道和 P 通道，请查看符号：N 通道指向 iN。