看看偏置是如何工作的：-

顶部输入轨为正极时，左下方 N 沟道 FET 开启，底部输入轨为负极时，右上方 P 沟道 FET 开启。

整流器在没有电流的情况下没有电压降。mosfet 上的低 RD 的可用性意味着电压降可以非常低。它可以低于肖特基二极管。有效电阻是 N chan 和 P chan 的总和.我在前世这样做了，但在生产中我使用了双肖特基而不是 2 P chan fets。P 通道在 25 年前是一个很大的惩罚，所以我认为 2 n 通道和 1 双肖特基更物有所值。 12V 10 安培电池充电器一切正常。现在，根据您的应用，p chan 可能是经济的。请记住，如果您将 p chan 放入一个大电解电容中，您将不得不对高反向电流做一些事情。也许是 Fiode 连接或一些关闭门的反向电流检测。

关于 MOSFET 桥式整流器的故障，这里有一些评论和答案：它在两个方向上导电，所以如果你有一个电容滤波电源，电容只会在交流下坡上漏电，回到源头.

有几个商业解决方案可以解决这个问题：我知道至少有两个，LT4320 和 LM74670-Q1。

请参阅https://www.analog.com/en/products/lt4320.html#product-overview和https://e2e.ti.com/blogs_/b/motordrivecontrol/archive/2016/01/11/a-novel -全波桥式整流器设计方法

我在 LTSpice 中测试了这个整流器。仅使用电阻负载，它就可以完美地工作，在负载电阻上产生全波整流电流，晶体管中的电压降非常小（取决于导通电阻，而不是体二极管的正向电压）。

然后我添加了一个电容器以使其成为连续的直流电流。在那种情况下，整流器完全失效了。当电容器上有电压时，MOSFET 的传导方向错误，使电流再次流回交流电源。

如果你用两个二极管代替两个 P-MOS 晶体管，它就可以工作，因为二极管会阻止任何反向电流。这就是为什么Autistic 的解决方案有效（在上一篇文章中描述）。