今天，由于无知，我一头扎进了 MOSFET 晶体管的世界。在我努力寻找有关我将用作开关（实际上是 HEXFET）的 MOSFET 的一些信息时，我了解到 MOSFET 通常有两种模式，增强模式或耗尽模式。
当我试图从数据表中找出 IRF3710 是哪种模式时，我发现它没有说（或者我可能需要眼镜）。在这一点上，我开始寻找如何区分这两种模式。一段时间后，我发现原理图符号不同：
增强型 MOSFET：
耗尽型 MOSFET：
不同之处在于下面突出显示的部分。
三条单独的线表示增强模式（左），一条实线表示耗尽模式（右）。
所以，我的问题是：这是分辨哪个是哪个的唯一方法，还是有更快的方法来分辨（可能通过设备上的标记？）。此外，是否有符号使用不同的方法来区分它们？
我在这里要求我自己学习，但也为其他可能与我有相同经历的人。我在搜索中没有找到那么多有用的信息。
我想在已经给出的答案中添加两件事：
不要相信原理图符号。您会看到耗尽模式符号经常用于增强模式部分，因为它更容易绘制。（制造商数据表上建议的符号不会出现此错误，但网络上的一些随机应用电路原理图根本不可信）
如何从数据表中判断零件是增强模式还是耗尽模式。对于 n 沟道 FET，如果 \$V_{gs({\rm th})}\$ 大于 0，则它是增强模式器件。如果 \$V_{gs({\rm th})} < 0\$ 它是一个耗尽模式设备。对于 p 通道，则相反：\$V_{gs({\rm th})} < 0\$ 表示增强模式，\$V_{gs({\rm th})} > 0\$ 表示耗尽模式.
在大多数供应商的搜索引擎（和制造选择网页）中，增强型 MOSFET 被视为“普通”或“标准”，可能没有任何明确的“增强型”标签，而耗尽型晶体管被明确指定为“耗尽模式”。以下是Digi-Key的示例：
AFAIK，没有关于如何指定耗尽型晶体管的通用约定，所有这些都是特定于供应商的。
您可以通过查看数据表中的数字来判断。通常它会说在顶部，因为耗尽模式相对较少，但并不总是如此。例如，小型 VHF Mosfet 通常是耗尽模式，有时没有提及。
对于耗尽型 MOSFET，Idss 会相对较大，截止电流会相对较小，并指定 N 沟道为负电压，P 沟道为正。下面是一个小型 N 通道器件（据我所知，没有制造离散的 P 通道耗尽模式部件）。
对于更常见的增强型 MOSFET，Rds(on) 和 Id(on) 将指定为 Vgs 对 N 沟道为正，对 P 沟道为负，而 Idss 将只是漏电流，并且相对较小。
