MOSFET怎么了?

电器工程 场效应管
2022-02-02 06:24:35

很长一段时间以来,我一直远离 FET 和 MOSFET(在我的电路中使用分立晶体管时)。我以当前的爱好项目为借口尝试并最终适应使用它们。但是,我似乎无法从这些野兽中做出正面或反面。

在尝试任何实际电路之前,我正在运行基本(几乎是“健全性检查”)LTspice 模拟。极其简单的电路,但它们似乎仍然不起作用。例如,请参阅下面的 LTspice 屏幕截图——电压探头位于电源的输出端;电流通过连接到漏极引脚的电阻器测量。MOSFET 导通时应该是 1mA(V2 为 12Volts),我希望当输入电压为 0V 时它会在 1μs 内回到 0mA:

在此处输入图像描述

顺便说一句,如果我将 V1 设为直流电源,则它可以工作:我将其设置为 0V,通过 R1 的电流为 0mA(嗯,按 pA 的顺序),如果我将其设置为 5V,则电流为 1mA。

我错过了什么?我还尝试了从 V1 到栅极的 100Ω 电阻;它只是在切换时使电流稍微有点圆滚滚,但它仍然没有回到 0mA。我还在栅极和 GND 之间添加了一个 10k 电阻。见下图,显示了模拟的输出(再次:我错过了什么?):

在此处输入图像描述

我确实对这个主题有一些更具体的问题,但我认为在尝试做任何“真正的”应用程序(即使是在爱好项目的背景下)之前,我最好先熟悉最简单的“玩具”电路。

1个回答

在完全不同的时间尺度上进行相同的模拟,比如慢 1000 倍。因此,将 us(微秒)更改为 ms(毫秒)并再次运行模拟。

请注意,在第一个图中,红色迹线是如何下降的,但在它达到零之前,您再次打开 NMOS。它来不及归零!

栅极和漏极之间存在一个大电容器,并与 12 k 漏极电阻相结合,这是一个很大的时间常数。大于您允许的 1us。所以放慢速度,看看会发生什么。

当你得到你期望的曲线时,降低漏极电阻的值并注意速度是如何再次增加的。在 1 us 处,您可能需要 120 欧姆左右,而不是 12 k 欧姆)。