如果没有电路图，就不可能具体回答这个问题。

如果在发射极和地之间使用负载的射极跟随器电路，负载上的最大电压将为基极电压 - 0.6V，这是由于基极-发射极结。对于 5V 输入，您将获得 4.4V 输出。

如果您使用负载在集电极和 +12V 之间的共发射极电路，则集电极上的电压将在 12V（晶体管关闭）和 0.1V（大约）之间，这是晶体管导通时的饱和电压 (Vsat) .

编辑：回答评论。

R1 的值设置基极电流的大小。R1 只是一个标签，在不同的电路中可能有不同的值。在这种情况下，有两个不同的（独立的）电路，因此 R1 在每个电路中都有不同的值。

晶体管实际上以相同的方式起作用。

基极-发射极结的作用类似于任何硅二极管（它是 NPN 晶体管的“PN”部分）。对于流过结的电流，基极必须比发射极高约 0.6V。这在两个电路中都是正确的。

差异。

在射极跟随器电路的情况下，负载两端的电压可以上升，直到满足该条件（Vbe = 0.6V）。晶体管未完全导通，晶体管两端的电压 (Vce) 将为 12 - 4.4 = 7.6V。这意味着晶体管必须消耗 POWER (7.6 x Ic) 并且可能会变得非常热或可能过热。

在共发射极电路的情况下，发射极电压固定为 0V，并将基极电压限制为 0.6V。当完全导通时，晶体管两端的电压为饱和电压 (Vsat) - 通常约为 0.1 - 0.3V，具体取决于晶体管类型和集电极电流。其余电压在负载上下降。晶体管消耗的功率最小 (Vsat * Ic)。

为了计算 R1 的值，我们使用欧姆定律 (V=IR) 以及晶体管的基极和集电极电流之间的关系，Ic = 电流增益 x Ib。

示例计算：

假设负载电流为 500mA，晶体管的典型电流增益为 250。那么基极电流的值为 500/250 = 2mA。（你从数据表中得到这个值）

在射极跟随器的情况下，电压降需要尽可能小。它的输入端有 5V，但我们希望在基极处有尽可能高的电压。假设基极为 4.9V，因此 R1 必须在 2mA 时下降 0.1V。这给出了 50 欧姆的 R1 值。

（理论上你甚至可能不需要一个电阻，但在发生短路负载的情况下，流入基极的最大电流为 88mA。）

在具有 5V 输入的共发射极的情况下， R1 需要下降 5 - 0.6 伏。(= 4.4V) 因为基极电压固定在 0.6V。在 2mA 的基极电流下，这给出了 R1 = 2200 欧姆的值。

请应用一个能准确显示你在做什么的示意图。

对您来说最有用的晶体管模型可能是电流放大器：发射极电流等于基极电流乘以“电流放大系数”，这是特定晶体管的属性。因此，您必须通过基极-发射极结施加电流。

如果您确实已将 5V 施加到基极 - 发射极结，则您的晶体管已失效。把它扔掉。

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添加电路后，可以给出更好的答案，检查 Jim 所写的内容：您必须使用共发射极配置，并且不要忘记基极电阻。