（免责声明，以防它不是很明显 - 我非常n00b，尤其是在理解晶体管方面）。
我以为我已经弄清楚了——p 沟道 MOSFET 是（或可以用作）与我的 MCU 运行的电压源不同的高压侧开关。为了测试我的理解，我将以下内容放在面包板上：
U1（5V arduino）上的代码让我可以将线路驱动为高电平或低电平，或者将其置于高阻抗状态以模拟所有 3 种场景。我预计将线路驱动为低电平会将 LED 点亮为 9V，将其驱动为高电平会关闭 LED（mosfet 漏极上的电压为 0V）。实际发生的是 - 根本没有光，并且漏极的电压为 6V (5.9V)。我很困惑——这是怎么回事？
这是我正在使用的 MOSFET： https ://www.sparkfun.com/datasheets/Components/General/FQP27P06.pdf
它甚至可以由 3.3V 逻辑电平控制，所以 5V 应该没问题。
OP 电路有错误。它将无法关闭 LED，因此 LED 将一直亮着。要关闭 P 沟道 MOSFET，您需要将栅极拉至源极。在您的电路中，源始终处于 +9V，但上拉电阻 R1 仅达到 +5V (VCC)。
高端 P 沟道 MOSFET 开关通常看起来像这样。
Q2 可以是小型 N 沟道 MOSFET 或小型 NPN 晶体管。
另一方面，是否有理由使用高端 P 沟道开关（相对于低端 N 沟道开关）？您是否只是为了更好地了解 P 沟道 MOSFET 而进行此设置？
您的电路有一些需要改变的地方：
您想将 MOSFET 栅极拉至 9V，而不是 VCC。
一旦你这样做了，你就不能直接使用 LED_EN 管脚，因为它可能不能承受 9V。
要解决此问题，您可以使用 N 沟道 MOSFET 拉低 P-FET 的栅极。
您需要在 LED 上安装一个限流电阻。
这是我为另一个答案所做的图表：
这是驱动电机，但相同的电路可用于驱动 LED（带有额外的电阻器）。我认为链接的答案也会给你一些很好的信息，如果我自己这么说的话！:)
祝你好运。
你的电路根本无法工作。它应该始终处于开启状态，因为您始终有一个 Vsg>Vthreshold。您需要的是连接到 9V 线路的 10k 电阻器，但这只有在您的 5V 逻辑块在高阻模式下可以阻挡高达 9V 的情况下才有效。基本上，当高端电压与栅极电压相同时，PMOS 将关闭。当栅极电压降至低于源极电压约 0.7V (Vthreshold) 时，pmos 将开启。
要打开，您需要驱动高阻态并关闭，您需要将栅极电压降至 0。
