IRL540 在漏极和源极之间有一个寄生电容，因此，当您“关闭”MOSFET 时，该电容（$C_{OSS}$) 需要时间通过 1 kohm 漏极上拉电阻充电。为了增加一点痛苦/复杂性，$C_{OSS}$变化与$V_{DS}$根据这张图： -

因此，当您最初关闭栅极电压时（$V_{GS}$),$V_{DS}$开始于 0 伏和$C_{OSS}$约为 2200 pF - RC 时间常数为 2.2 μs（1 kohm 上拉），因此输出最初上升相对缓慢。作为$V_{DS}$上升到（比如说）3伏，$C_{OSS}$下降到 1400 pF 左右，事情开始加速，但是，当从电阻器为电容器充电时，这是一个收益递减规律，尽管$C_{OSS}$下降到约 800 pF 时$V_{DS}$是 10 伏特，仍然涉及几微秒的总时间段。

如果您使用 100 欧姆负载，您会看到$C_{OSS}$充电更快。

虽然$C_{ISS}$（栅极电容）是大约两倍的值$C_{OSS}$，我怀疑您的栅极驱动阻抗不超过 50 欧姆，因此，$C_{ISS}$不是一个重要的问题。它的效果将比 1 kohm 漏极电阻小十倍，并且$C_{OSS}$.

你的微输出必须提供栅极电荷，所以它的行为可能像一个 100 欧姆电阻，并且 30-40mA 流动，所以 64nC（最大值）需要 1.8 微秒。

如果您希望它以 100kHz 快速切换，您将需要一个能够提供更大峰值电流的栅极驱动器。有许多可用的栅极驱动器芯片，或者您可以使用几个 BJT 来降低性能但降低成本。